[发明专利]低压TVS用硅外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201110286701.2 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102290337A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 马林宝;金龙;骆红 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 210038 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 tvs 外延 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低压TVS用外延片的制造方法，其特征在于：在N型衬底上生长P型外延层的工艺条件如下：首先用HCl来气腐衬底表面的杂质和金属原子后用高温大流量的氢气吹除，然后用氢气高温烘烤N型衬底的杂质原子，最后在外延生长前预通P型掺杂剂(B2H6)。
2.根据权利要求1所述的硅外延片的制造方法，其特征在于： HCl气腐温度为1130℃，气腐时间为4分钟，HCl流量为10L/min。
3.根据权利要求1或2所述的硅外延片的制造方法，其特征在于：外延生长前预通P型杂质剂（B2H6）为3 min，且最初的一分钟内P型掺杂流量为50 L/min，后两分钟P型掺杂流量为35L/min，生长温度为1050℃，生长速率为0.15μm/min。
4.根据权利要求1或2所述的硅外延片的制造方法，其特征在于：外延生长前预通P型杂质剂（B2H6）3 min，外延生长温度1050℃，外延生长速率0.15μm/min，外延生长时P型掺杂流量从50 L/min到35L/min；生长一层P型外延层，靠近PN交界面的浓度高于平坦区的浓度，其电阻率和厚度符合器件要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
