[发明专利]一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法无效
| 申请号： | 201110285908.8 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102306623A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑高林;黄少华;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 二氧化硅 图形 方法 | ||
1.一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其包括如下步骤：
1）提供一待在其上形成二氧化硅图形掩膜的材料层；
2）在所述材料层的表面上蒸镀一层金属薄膜；
3）退火热处理，在材料层表面上形成随机均匀分布的纳米级金属颗粒；
4）在镀有纳米金属颗粒的材料层的表面上沉积一层SiO2薄膜；
5）采用化学蚀刻和超声共同作用,蚀刻金属颗粒的同时使得包裹金属颗粒的SiO2层脱落，在所述材料层的表面上形成纳米级二氧化硅多孔状图形掩膜。
2.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所述材料层为外延生长衬底、半导体外延层的支撑基板、半导体材料层、透明导电层中任意一种。
3.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所述金属薄膜的厚度为10～70纳米。
4.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所述金属颗粒的大小为200nm～1um。
5.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所述金属薄膜的材料为Ag、Ni、Au、Ti、Cr中任意的一种。
6.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所沉积的SiO2层厚度为30nm ～100nm。
7.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所述步骤3）中的退火温度为400～600℃。
8.根据权利1所述的一种制备纳米级二氧化硅图形掩膜的方法，其特征在于：所述步骤5）中采用氨水和双氧水的混合溶液作为化学蚀刻的蚀刻液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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