[发明专利]辐射系统和光刻设备

权利要求书

1.一种用于在辐射空间中产生辐射束的辐射系统，所述辐射系统包括：

等离子体产生的放电源，其构造并设置成产生极紫外辐射，所述放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，所述系统构造并配置成在所述成对电极之间产生放电，以便在所述电极之间产生箍缩等离子体；和

碎片捕获遮蔽件，其构造并配置成从所述电极捕获碎片、将所述电极与辐射空间中设置的光的路线遮挡分开、以及在所述光的路线中所述电极之间的中心区域设置孔。

2.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，以相对于光学轴线的预定球面角限定所述辐射空间。

3.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述碎片捕获遮蔽件设置成至少一个流体喷射流。

4.根据权利要求3所述的辐射系统，其中，所述流体喷射流包括熔融的锡或锡化合物。

5.根据权利要求4所述的辐射系统，其中，所述锡化合物包括Ga-In-Sn。

6.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述碎片捕获遮蔽件由相对地且大体上平行于所述电极的纵轴线的一对流体喷射流提供。

7.根据权利要求3所述的辐射系统，其中，所述碎片捕获遮蔽件包括相对于所述中心区域沿径向方向设置的多个流体喷射流。

8.根据权利要求7所述的辐射系统，其中，所述多个流体喷射流彼此相邻地设置。

9.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，在距离所述电极大约0.5mm到大约25mm范围内的位置处设置所述碎片捕获遮蔽件。

10.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，由大体上平行于电极纵轴线移动的移动元件提供所述碎片捕获遮蔽件。

11.根据权利要求10所述的辐射系统，其中，设置用于容纳冷却剂的容器，用于引导所述移动元件穿过其中。

12.根据权利要求1所述的辐射系统，其中，所述碎片捕获遮蔽件包括相对于所述中心区域大体上沿径向取向的板的静态结构，其中所述板被取向成将所述电极与所述板之间提供的光的路线遮挡分开。

13.根据权利要求12所述的辐射系统，其中，所述板之间的距离随着离所述光学轴线的距离的增大而增大。

14.根据权利要求12所述的辐射系统，其中，所述板之间的距离在大约0.5mm到大约3mm之间的范围。

15.根据权利要求12所述的辐射系统，还包括设置用于在所述电极和所述遮蔽件之间施加电磁偏转场的电磁偏转场单元。

16.根据权利要求15所述的辐射系统，其中，所述电磁偏转场单元提供静态磁场。

17.根据权利要求16所述的辐射系统，其中，所述磁场被设置成四极场，所述四极场配置用于将正电颗粒偏转向沿所述沿径向取向的板取向的平面。

18.根据权利要求17所述的辐射系统，其中，沿所述光学轴线提供所述平面。

19.根据权利要求12所述的辐射系统，还包括氢根供给系统，用于引导氢根通过所述板。

20.根据权利要求12所述的辐射系统，其中，至少一些所述板设置有大体上相对所述板横向取向的横贯通道。

21.根据权利要求20所述的辐射系统，其中，所述横贯通道设置有导线。

22.根据权利要求20所述的辐射系统，还包括氢根供给系统，用于引导氢根通过所述横贯通道。

23.根据权利要求12所述的辐射系统，其中，至少一些所述板由流体喷射流提供。

24.根据权利要求23所述的辐射系统，其中，所述流体喷射流包括熔融的锡或锡化合物。

25.根据权利要求24所述的辐射系统，其中，所述锡化合物包括Ga-In-Sn。

26.根据权利要求1所述的辐射系统，还包括：加热系统，所述加热系统能够有选择地被加热，用于将所述碎片捕获遮蔽件的温度升高到用于从所述碎片捕获遮蔽件蒸发所述碎片的温度；和气体供给系统，所述气体供给系统用于提供气流以排出来自所述碎片捕获遮蔽件的所述蒸发的碎片。