[发明专利]光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片

权利要求书

1.一种光刻对准标记，包括：

沿第一方向相互平行设置的多个第一对准栅条；和

沿与所述第一方向垂直的第二方向相互平行设置的多个第二对准栅条，

其中，所述多个第一对准栅条中的每一个由预定个数的均匀间隔开的第一精细对准栅条构成，并且所述多个第二对准栅条中的每一个由所述预定个数的均匀间隔开的第二精细对准栅条构成。

2.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述预定个数为3个。

3.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述预定个数为2个。

4.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述预定个数为4个。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光刻对准标记，其中，所述第一精细对准栅条的宽度与第一精细对准栅条间的间隔的宽度相等，并且所述第二精细对准栅条的宽度与第二精细对准栅条间的间隔的宽度相等。

6.根据权利要求5所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条的宽度为8μm，并且所述第二对准栅条的宽度为8μm。

7.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述多个第一对准栅条均匀地间隔开，并且所述多个第二对准栅条均匀地间隔开。

8.根据权利要求7所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔与所述第二对准栅条间的间隔的宽度相等。

9.根据权利要求8所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔的宽度均为8μm或者均为9.6μm。

10.根据权利要求7所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔与所述第二对准栅条间的间隔的宽度不等。

11.根据权利要求10所述的光刻对准标记，其中，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔两者之一的宽度为8μm，而另一个的宽度为9.6μm。

12.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述多个第一对准栅条分为两组，其中每一组中的第一对准栅条都均匀地间隔开，并且第一组第一对准栅条间的间隔与第二组第一对准栅条间的间隔的宽度不等。

13.根据权利要求12所述的光刻对准标记，其中，所述第一组第一对准栅条间的间隔与第二组第一对准栅条间的间隔两者之一的宽度为8μm，而另一个的宽度为9.6μm。

14.根据权利要求1、12或13所述的光刻对准标记，其中，所述多个第二对准栅条分为两组，其中每一组中的第二对准栅条都均匀地间隔开，并且第一组第二对准栅条间的间隔与第二组第二对准栅条间的间隔的宽度不等。

15.根据权利要求14所述的光刻对准标记，其中，所述第一组第二对准栅条间的间隔与第二组第二对准栅条间的间隔两者之一的宽度为8μm，而另一个的宽度为9.6μm。

16.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述第一精细对准栅条和所述第二精细对准栅条由金属形成，并且所述第一精细对准栅条间的间隔和所述第二精细对准栅条间的间隔由氧化物形成，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔也由所述氧化物形成。

17.根据权利要求1所述的光刻对准标记，其中，所述第一精细对准栅条和所述第二精细对准栅条由氧化物形成，并且所述第一精细对准栅条间的间隔和所述第二精细对准栅条间的间隔由金属形成，所述第一对准栅条间的间隔和所述第二对准栅条间的间隔也由所述金属形成。

18.一种掩模板，包括：

中心区域，其具有与要形成的电路图案相对应的掩模图案；和

边缘区域，其包括一个或多个如权利要求1-17中任一项所述的光刻对准标记。

19.一种半导体晶片，包括：

多个晶片层，其中每个晶片层包括：

主芯片区域，其用以形成所需的电路图案；和

标记区域，其用于容纳一个或多个如权利要求1-17中任一项所述的光刻对准标记，

其中，所述光刻对准标记位于所述多个晶片层中的一个或多个选定层中的标记区域内。