[发明专利]半导体表面粗糙化方法无效
| 申请号： | 201110285551.3 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569548A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 高仲山 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 粗糙 方法 | ||
1.一种半导体表面粗糙化方法，其包含下列步骤：
提供一基板；
于该基板上形成一第一型掺杂半导体层；
于该第一型掺杂半导体层表面上形成一发光层；
于一预定气压范围与一预定温度范围内，在该发光层表面沉积形成一第二型掺杂半导体层；以及
于该预定气压范围与该预定温度范围内，通入一蚀刻气体与一钝化气体至该第二型掺杂半导体层表面达一预定时间，以完成该第二型掺杂半导体层表面的至少一凹凸构造。
2.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中该基板为一蓝宝石基板或一碳化硅基板。
3.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中该第一型掺杂半导体层为一n型掺杂半导体层，而该第二型掺杂层为一p型掺杂半导体层。
4.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中该第一型掺杂半导体层为一p型掺杂半导体层，而该第二型掺杂层为一n型掺杂半导体层。
5.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中该发光层为一多量子阱结构层。
6.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中该等掺杂半导体层分别为n型掺杂氮化镓(GaN)层与p型掺杂氮化镓(GaN)层，该预定气压范围为300至700毫巴(mbar)，该预定温度范围为摄氏850至1200度。
7.根据权利要求6所述的半导体表面粗糙化方法，其中该蚀刻气体为氢气(H2)，该钝化气体为氨气(NH3)或氮气(N2)，该预定时间的范围为10至120分钟。
8.根据权利要求6所述的半导体表面粗糙化方法，其中还包含下列步骤：于该预定时间结束后，再通入一修补气体，该修补气体可为三甲基镓(TMGa)气体或三乙基镓(TEGa)或三甲基铟(TMIn)。
9.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中各该凹凸构造为高差低达200至800纳米的一三角锥状凹凸构造。
10.根据权利要求1所述的半导体表面粗糙化方法，其中该第二型掺杂半导体层是以气相沉积所形成。
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