[发明专利]一种用于纳米集成电路的铜扩散阻挡层的制备方法

权利要求书

1.一种铜扩散阻挡层的制备方法，其特征在于具体步骤包括：

在第一层金属互连层上形成互连通孔；

形成第一层金属薄膜；

采用原子层淀积技术形成第二层金属薄膜；

形成铜互连结构；

其中，所述的第二层金属薄膜的原子层淀积过程为：

①.将基片放入原子层淀积反应腔中，并加热反应腔至工艺温度；

②.通入第二层金属的金属有机物前驱体；

③.通入惰性气体带走残余的金属有机物前驱体；

④.通入氧化剂蒸汽；

⑤.再次通入惰性气体带走残余的氧化剂蒸汽；

⑥.重复进行步骤②-步骤⑤，直至达到所需求的薄膜厚度；

⑦.通入还原性气体得到所需求的金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的第一层金属为TaN。

3.根据权利要求1所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的第二层金属为Co或者为Ru。

4.根据权利要求3所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的第二层金属为Co，其金属有机物前驱体为Co(C₅H₇O₂)₂。

5.根据权利要求3所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的第二层金属为Ru，其金属有机物前驱体为CpRu(CO)₂Et。

6.根据权利要求1或3所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的惰性气体为氮气、氩气或者氦气。

7.根据权利要求1或3所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的氧化剂为氨气或氧气。

8.根据权利要求1或3所述的铜的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述的还原性气体为氢气或甲烷。