[发明专利]隔离结构和包含隔离结构的元件结构

权利要求书

1.一种隔离结构，包括：

一掺杂半导体层，位于一半导体基底的一沟渠中，且具有与该基底相同的导电型；

一栅介电层，位于该掺杂半导体层和该基底之间；以及

一扩散区，位于该基底中，是以从该掺杂半导体层穿过该栅介电层而来的掺质扩散而形成。

2.根据权利要求1所述的隔离结构，其中还包括

一金属层，位于该沟渠中及该掺杂半导体层下，其中该栅介电层亦介于该金属层及该基底之间。

3.根据权利要求2所述的隔离结构，其中该金属层的材质包括氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)。

4.根据权利要求1所述的隔离结构，其中该掺杂半导体层及该基底的该导电型是p型。

5.根据权利要求1所述的隔离结构，其中该掺杂半导体层及该基底的该导电型是n型。

6.根据权利要求1所述的隔离结构，其中该掺杂半导体层的材质包括掺杂多晶硅。

7.一种元件结构，包括：

一半导体基底，具有第一导电型；

一隔离结构，包括：具有该第一导电型且位于该基底的第一沟渠中的第一掺杂半导体层、介于该第一掺杂半导体层及该基底之间的一栅介电层，以及位于该基底中，以从该第一掺杂半导体层穿过该栅介电层而来的掺质扩散而形成的一扩散区；

第一垂直晶体管，位于该隔离结构的第一侧的该基底中，且包括该扩散区旁的第一源/漏极区及位于该第一源/漏极区上方的第二源/漏极区，该第一源/漏极区及该第二源/漏极区都具有第二导电型。

8.根据权利要求7所述的元件结构，其中该隔离结构还包括位于该第一沟渠中及该第一掺杂半导体层下的一金属层，且该栅介电层亦介于该金属层及该基底之间。

9.根据权利要求7所述的元件结构，其中该第一导电型是p型且该第二导电型是n型。

10.根据权利要求7所述的元件结构，其中该第一导电型是n型且该第二导电型是p型。

11.根据权利要求7所述的元件结构，其是一动态随机存取存储器结构，且还包括耦接到该第二源/漏极区的一电容器。

12.根据权利要求11所述的元件结构，其中该第一源/漏极区与一埋入式位元线接触，且该埋入式位元线位于该基底中的第二沟渠中。

13.根据权利要求12所述的元件结构，其中该埋入式位元线包括：一金属层，以及该金属层上具有该第二导电型的第二掺杂半导体层，且该第二掺杂半导体层与该第一源/漏极区接触。

14.根据权利要求13所述的元件结构，其中该第一源/漏极区是以从该第二掺杂半导体层而来的掺质扩散而形成。

15.根据权利要求12所述的元件结构，其中有二埋入式位元线平行配置在该第二沟渠中。

16.根据权利要求7所述的元件结构，还包括位于该隔离结构的第二侧，即该隔离结构的该第一侧的相反侧的第二垂直晶体管。