[发明专利]一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺

权利要求书

1.一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：

1）沉积低k值介质层；

2）在沉积的低k值介质层上形成刻蚀阻挡层；

3）完成光刻和刻蚀去除非冗余金属区域的刻蚀阻挡层；

4）再次沉积低k值介质达到所需厚度的低k值介质层；

5）再次光刻和刻蚀形成金属导线槽和冗余金属槽；

6）进行导线金属和冗余金属的填充，完成金属层沉积；

7）对金属层进行化学机械研磨；

8）继续化学机械研磨低k值介质层和金属混合层，进一步去除冗余金属。

2.如权利要求1所述的一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺，其特征在于，所述所述的刻蚀阻挡层的材质为碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、钛、氮化钛、氧化钛、钽、氮化钽、氧化钽。

3.如权利要求1所述的一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺，其特征在于，所述所述的刻蚀阻挡层的厚度范围在1纳米至1000纳米之间。

4.如权利要求4所述的一种去除金属层冗余金属填充的制造工艺，其特征在于，所述的冗余金属槽比金属导线槽浅。