[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号: | 201110284666.0 | 申请日: | 2011-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN102306709A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 秦国刚;罗剑兴;魏峰;徐万劲 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
| 地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件阳极,其特征在于,由多个p型多晶硅层和金属硅化物材料层叠加构成。
2.如权利要求1所述有机电致发光器件阳极,其特征在于,包括两层p型多晶硅层和一层金属硅化物层,其中金属硅化物层位于两层p型多晶硅之间。
3.权利要求1所述的有机电致发光器件阳极的制备方法,步骤包括:
1)在透明衬底上沉积一层或多层阻挡层;
2)在阻挡层上依次沉积一个或多个p型非晶硅层和金属层;
3)在400-550℃氮气保护条件下,进行5-30分钟退火处理,形成p型多晶硅和金属硅化物叠加结构。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述沉积的阻挡层总厚度为50-300纳米。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中所述沉积金属层用于诱导非晶硅晶化,是Fe、Au、Ni、Al、Ti、Pt中的任意一种,金属层的总厚度为1-50纳米,沉积p型非晶硅层的总厚度为5-500纳米。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中沉积p型非晶硅层所用的硅靶电阻率范围为0.0001-1000Ω·cm。
7.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤1)和步骤2)中所述沉积方法包括但不限于电子束蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积中的任意一种。
8.一种有机电致发光器件,包括反射镜、透明衬底、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层,其特征在于,所述阳极由一个或多个p型多晶硅层和金属硅化物材料层叠加构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





