[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110284666.0 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN102306709A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 秦国刚;罗剑兴;魏峰;徐万劲 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件阳极,其特征在于,由多个p型多晶硅层和金属硅化物材料层叠加构成。

2.如权利要求1所述有机电致发光器件阳极,其特征在于,包括两层p型多晶硅层和一层金属硅化物层,其中金属硅化物层位于两层p型多晶硅之间。

3.权利要求1所述的有机电致发光器件阳极的制备方法,步骤包括:

1)在透明衬底上沉积一层或多层阻挡层;

2)在阻挡层上依次沉积一个或多个p型非晶硅层和金属层;

3)在400-550℃氮气保护条件下,进行5-30分钟退火处理,形成p型多晶硅和金属硅化物叠加结构。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述沉积的阻挡层总厚度为50-300纳米。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中所述沉积金属层用于诱导非晶硅晶化,是Fe、Au、Ni、Al、Ti、Pt中的任意一种,金属层的总厚度为1-50纳米,沉积p型非晶硅层的总厚度为5-500纳米。

6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤2)中沉积p型非晶硅层所用的硅靶电阻率范围为0.0001-1000Ω·cm。

7.如权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤1)和步骤2)中所述沉积方法包括但不限于电子束蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、化学气相沉积中的任意一种。

8.一种有机电致发光器件,包括反射镜、透明衬底、阳极层、空穴传输层、发光层、电子传输层和透光阴极层,其特征在于,所述阳极由一个或多个p型多晶硅层和金属硅化物材料层叠加构成。

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