[发明专利]一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备及其方法

权利要求书

1.一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，其特征在于：

该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上，

其中，n为自然数。

2.根据权利要求1所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，振荡器产生刷新信号frq，然后输出到分频器。

3.根据权利要求2所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，分频器对振荡器产生的刷新信号frq进行分频，产生分频后的刷新频率frqs。

4.根据权利要求3所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，在Vtemp控制下，第一选择器从多个刷新频率frqs中选择给出最终刷新频率Refrq，输出到DRAM阵列。

5.根据权利要求1所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，衬底电压稳定模块包括三个定值电阻、一个三极管T1、比较器和电荷泵。

6.根据权利要求5所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，三极管为跟DRAM阵列中晶体管完全相同的晶体管，取自冗余单元。

7.根据权利要求6所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，通过调整三个定值电阻得到衬底电压VBBn。

8.根据权利要求1所述的基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备，其特征在于，第二选择器为三态传输门。

9.一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新存储设备的刷新方法，所述存储设备包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，其特征在于：

n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上，其中，n为自然数。