[发明专利]一种金属互连层刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110284500.9 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103021930A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;胡敏达 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互连 刻蚀 方法 | ||
1.一种金属互连层刻蚀方法，应用于采用金属硬掩膜的第一金属互连层的刻蚀，提供具有半导体器件层的晶片，所述半导体器件层中包括钨接触或钨栓塞，其特征在于，该方法包括：在所述钨接触或钨栓塞上方依次沉积衬垫层、金属间介质、正硅酸乙酯层和金属层后，光刻后刻蚀所述金属层形成金属硬掩膜；
所述晶片器件面光刻形成第二光刻图案；
以所述第二光刻图案和所述金属硬掩膜为遮蔽主刻蚀所述正硅酸乙酯层和金属间介质，形成通孔和沟槽，以所述衬垫层为主刻蚀停止层；
湿法刻蚀去除部分或全部金属硬掩膜；
以所述正硅酸乙酯层为遮蔽刻蚀所述衬垫层；
碱性的羟基多巴胺类有机溶剂和含氢氟酸溶液分别湿法清洗所述通孔和沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层是氮化钛或者氮化硼。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用双氧水溶液。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的时间范围是1到10分钟。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述双氧水溶液是浓度范围是1％到50％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述羟基多巴胺类有机溶剂的清洗时间范围是1到20分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氢氟酸溶液的清洗时间范围是1到20分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氢氟酸溶液的去离子水和氢氟酸的体积比范围是100∶1到1000∶1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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