[发明专利]一种在细长管道内壁镀制薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110283626.4 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102337520A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 熊玉卿;任妮;王多书;王济洲;冯煜东;刘恒;马占吉 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/20;C23C16/40;C23C16/34 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 细长 管道 内壁 薄膜 方法 | ||
1.一种在细长管道内壁镀制薄膜的方法，包括以下工艺步骤：
（1）将需镀膜的细长管道置于与管道相适配的反应室内，将反应室抽真空；
（2）以脉冲形式向反应室内通入第一种气相前驱体A，在需镀膜的管道内表面以化学吸附形成一个单吸附层；
（3）向反应室内通入惰性气体，将未吸附的多余前驱体A排除；
（4）以脉冲形式向反应室内通入第二种气相前驱体B，与前驱体A反应，在需镀膜的管道内表面生成一个单原子层；
（5）向反应室内通入惰性气体，将未反应的多余前驱体B排除；
（6）重复上述步骤（2）~（5），每重复一次，生成一个单原子层，直到膜层厚度满足要求为止。
2.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（1）所述反应室中的真空度为1×10-2Pa~1×10-3Pa。
3.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（2）所述气相前驱体A为AlMe3、TiCl4、Cu(acac)2、ZrCl4、HfCl4、Pt(acac)2、WF6、TaCl5、SnCl4、InCl3、CdMe2、MoCl5、GaCl3、ZnCl2、SiCl4、CCl3、BCl3。
4.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（2）所述气相前驱体A的流量为10~50sccm，脉冲持续时间为2~10s。
5.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（3）所述惰性气体为氩气，其流量为20~50sccm，持续时间为5~30s。
6.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（4）所述气相前驱体B可以为气态H2O、H2、NH3、O2、N2、H2S、AsH3、PH3、H2S、H2Se、HF。
7.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（4）所述气相前驱体B的流量为10~50sccm，脉冲持续时间为2~10s。
8.如权利要求1所述在细长管道内壁镀制薄膜的方法，其特征在于：步骤（5）所述惰性气体为氩气，其流量为20~50sccm，持续时间为5~30s。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
