[发明专利]双台阶结构闸电极及相应的薄膜场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S10、在基板上依次沉积第一金属层、第二金属层以及光阻层；

S20、使用半透性光刻板对所述光阻层进行图形化使得所述光阻层两侧的厚度比所述光阻层中间的厚度薄，所述光阻层的中间较厚部分的宽度为第一宽度，所述光阻层的宽度为第二宽度；

S30、进行湿法刻蚀使所述第一金属层和所述第二金属层一齐形成单台阶状结构；

S40、通过光阻灰化将所述光阻层两侧较薄的部分去除；

S50、进行湿法刻蚀使所述第二金属层的宽度减少到所述第一宽度；

S60、对所述光阻层进行剥离处理。

2.根据权利要求1所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，步骤S60后，所述第二金属层的宽度为所述第一宽度，所述第一金属层的宽度为所述第二宽度。

3.根据权利要求1所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，所述半透性光刻板的中间为不透光层，两侧为半透光层，所述半透性光刻板的宽度为所述第二宽度，所述不透光层的宽度为所述第一宽度。

4.根据权利要求1所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液的组分重量份数为：H3PO4 50-60份；HNO3 10-20份；CH3COOH 2-10份；H2O 20-30份。

5.根据权利要求1所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，所述光阻灰化为利用紫外光切断所述光阻层中光刻胶的化学键，并使用通过臭氧分解的氧活性基与所述光刻胶发生反应以去除所述光阻层的臭氧光阻灰化。

6.根据权利要求5所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，所述光阻灰化的温度为80度至120度。

7.根据权利要求1所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，所述第一金属层为铝金属层。

8.根据权利要求1所述的双台阶结构闸电极的制作方法，其特征在于，所述第二金属层为钼金属层。

9.一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括双台阶结构闸电极的制作，包括步骤：

S10、在基板上依次沉积第一金属层、第二金属层以及光阻层；

S20、使用半透性光刻板对所述光阻层进行图形化使得所述光阻层两侧的厚度比所述光阻层中间的厚度薄，所述光阻层的中间较厚部分的宽度为第一宽度，整个光阻层的宽度为第二宽度；

S30、进行湿法刻蚀使所述第一金属层和所述第二金属层一齐形成单台阶状结构；

S40、通过光阻灰化将两侧厚度较薄的光阻层去除；

S50、进行湿法刻蚀使所述第二金属层的宽度减少到所述第一宽度；

S60、对所述光阻层进行剥离处理。

10.根据权利要求9所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，

步骤S60后，所述第二金属层的宽度为所述第一宽度，所述第一金属层的宽度为所述第二宽度；

所述半透性光刻板的中间为不透光层，两侧为半透光层，所述半透性光刻板的宽度为所述第二宽度，所述不透光层的宽度为所述第一宽度。