[发明专利]Mg-α-SiAlON为主体晶格的荧光材料制造方法无效
申请号: | 201110282744.3 | 申请日: | 2011-09-22 |
公开(公告)号: | CN102321473A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 钟贤龙;张丰胜;陈焕煜;黄姝绮 | 申请(专利权)人: | 钟贤龙 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 中国台湾台南*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mg sialon 主体 晶格 荧光 材料 制造 方法 | ||
1.一种荧光材料的制造方法,其特征在于,系包括下列步骤:
步骤A:提供一锭状物,该锭状物包括下列物质:
(i)镁金属源;
(ii)硅元素源;
(iii)铝金属源;
(iv)氧元素源;
(v)固态氮元素源;
(vi)卤化铵盐;以及
(vii)活化剂离子源;
步骤B:包覆一引燃剂于该锭状物,以得到一反应锭;
步骤C:将该反应锭置于一绝热装置内并填充陶瓷粉体于该绝热装置与该反应锭间;以及
步骤D:藉由燃烧该引燃剂,以引燃该锭状物,而得到一Mg-α-SiAlON为主体晶格的荧光材料。
2.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该镁金属源系为镁金属、氧化镁或此等的组合。
3.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该硅元素源系为硅粉、二氧化硅、氧化硅、氮化硅或此等的组合。
4.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该铝金属源系为铝粉、氧化铝、氮化铝、氢氧化铝或此等的组合。
5.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该氧元素源系为金属氧化物、金属氢氧化合物或此等的组合。
6.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该固态氮元素源系为碱金属氮化物、碱土金属氮化物、有机氮化物或此等的组合。
7.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该固态氮元素源系为NaN3、KN3、Ba3N2或此等的组合。
8.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该活化剂离子源系为过渡金属元素、含过渡金属的化合物、稀土元素、含稀土元素的化合物或此等的组合。
9.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该引燃剂系为Ti/C混合物、Mg/Fe3O4混合物、Al/Fe3O4混合物、Al/Fe2O3混合物或此等的组合。
10.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该陶瓷粉体系为氮化物、氧化物、氧化物空心球、碳化硅或此等的组合。
11.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该步骤D系于一气体氛围下加热该引燃剂,以燃烧该引燃剂。
12.如权利要求1所述的荧光材料的制造方法,其特征在于,其中该气体氛围系为氮气、氨气、惰性气体、烷类气体或此等的组合。
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