[发明专利]内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术无效
申请号: | 201110282562.6 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN103137778A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 简唯伦;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内部 二次 散射 高效率 薄膜 太阳能电池 技术 | ||
技术领域:
本发明是一种是一种运用在双结薄膜太阳能电池的新技术。在双结的接面上多加上一道制程,形成良好的穿隧效应,且于此接面发生光二次散射,增加光行进距离,使双结薄膜太阳能电池效率达到加成效果,以增加太阳能电池发电效率。
背景技术
由于现在太阳能产业为了有效提升太阳能电池效率,纷纷由单结太阳能电池转成双结太阳能电池。而双结太阳能电池在串联两个电池时,其接面扮演相当重要的角色,若无良好的穿隧结产生,两个太阳能电池堆栈在一起将无法有加乘效果,所以能在此接面产生良好的穿隧结,且在此接面若能有二次光散射,将可大大提升太阳能电池之效率,增加其产业竞争力。
发明说明
本发明主要是适用于双结薄膜太阳能电池之接面处,利用透明氧化层本身内部现有之缺陷,而这些缺陷会提高电子电洞复合的机率,有效阻止在双结接面上载子分离形成反向的内建电场,获得良好的双结薄膜太阳能电池的穿隧结,接着在透明氧化层表面进行离子轰击,使其表面形成凹凸绒状结构,可作为光二次散射之接面,若是第二层薄膜太阳能电池为结晶性结构,此接面之结构也有助于提升薄膜沉积结晶之质量,大大提升薄膜太阳能电池之效能。
具体实施方法
吾将本发明搭配附图,详细说明如下:
图1为本发明内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术之制程示意图,由图中可得知,先于基板(1)上先后镀制电极(2)和一单结薄膜太阳能电池(3),之后在镀制完成的太阳能电池表面上,再镀制一层透明氧化层(4),之后再此层进行离子轰击表面,在此接面形成一些额外的凹凸绒状结构层(4-1),之后再镀制上第二层薄膜太阳能电池(5)和电极(6),即完成有二次光散射及良好穿隧结之高效能双结薄膜太阳能电池。
图2为本发明内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术之光行进路线图,由图可得知,光行进有凹凸绒状结构(4-1)的透明氧化层(4)时,因为表面结构而产生内部二次散射现象(7),同时也因为此层为透明薄膜层,并不会影响光行进,有效提升双结薄膜太阳能电池之效率,增加太阳能产业进争能力。
以上说明,对本发明而言只是说明性的,非限制性的,本领域普通技术人员理解,在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下,可作出许多修正、变化或等效,但都将落入本发明的保护范围之内。
附图说明:下面为结合附图对本发明进一步说明:图1为本发明内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术之制程示意图。图2为本发明内部光二次散射之高效率双结薄膜太阳能电池技术之光行进路线图。
图标主要符号说明:1 …基板2 …电极3 …第一层薄膜太阳能电池4 …透明氧化层
4-1.凹凸绒状结构5 …第二层薄膜太阳能电池6 …电极7 …光二次散射路线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的