[发明专利]新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池，此技术方法其结构利用新型中间层金属氧化物沉积于顶电池及底电池之间，其目的在于提高顶电池光吸收效率，并能够获得高效率双结硅薄膜太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池，其中透明玻璃基板材质选用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。

3.根据权利要求1所述的一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池，其中该顶电池PIN硅半导体层，可选用非晶硅半导体层、微晶硅半导体层或非晶-微晶硅半导体层。

4.根据权利要求1所述的一种新型中间层金属氧化物制作高效率双结硅薄膜太阳能电池，其中该金属氧化物层，选用各类型抗反射之透明金属氧化物层，如：锡、铟、锌等氧化物皆可，其中可互相参杂以取得优化比例，达到提升顶电池光吸收效率。