[发明专利]基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包含如下步骤：

(1)栅极基片的制备

在玻璃基板上通过溅射的方法制备栅极，该栅极的厚度为100nm～500nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到栅极基片；

(2)单一氧化绝缘层的制备

将所制备的栅极基片放入电解质溶液中通电后在栅极表面形成一层氧化层作为单一氧化绝缘层，该单一氧化绝缘层的厚度为100nm～300nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到单一氧化绝缘层；

(3)沟道层的制备

在单一氧化绝缘层上面通过溅射的方法制备沟道层，该沟道层的厚度为20nm～100nm，通过掩模或光刻的方法图形化，得到沟道层；

(4)漏极和源极的制备

在沟道层上面通过溅射的方法制备漏极和源极，该漏极和源极的厚度分别为100nm～500nm，通过掩模、光刻或者剥起的方法图形化，得到漏极和源极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述栅极的材料采用铝钕或铝铈合金中的任意一种；

所述步骤(2)单一氧化绝缘层的具体制备步骤如为：将制备好的栅极基片放入电解质溶液的一端接电源正极，电源负极接石墨或金属放入电解质溶液的另外一端，通电进行阳极氧化处理，即阳极氧化处理具体过程是将制备好栅极的基片和石墨或金属放入电解质溶液中分别作为阳极和阴极，先在阳极和阴极之间加恒定的电流为0.1mA/cm²，阳极和阴极之间的电压将随时间线性升高，当电压达到设定值80V～150V时恒定这个电压，直至阳极和阴极之间的电流小于0.01mA/cm²时，将栅极取出用氮气吹干再经过清洗，这时栅极表面形成一层氧化膜，此氧化膜的厚度与阳极氧化过程中设定的电压值成正比，此氧化膜即为单一氧化绝缘层；所述电解质溶液为柠檬酸或者硫酸中的任意一种，或者为酒石酸铵和乙二醇的混合液；

所述沟道层的材料为掺杂氧化锌材料，掺杂氧化锌材料为在氧化锌中掺入铟、镓、铝、钕或锡中的一种或一种以上；

所述源极和漏极分别覆盖在沟道层的两端并且相互间隔；所述源极和漏极的材料为导电材料。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述的单一氧化绝缘层是指在整个薄膜晶体管制备过程中只包含一层绝缘层。