[发明专利]SRAM单元及其制作方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：

衬底；以及

在衬底上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中

所述第一FinFET包括在衬底上设置的半导体层中接于半导体层形成的第一鳍片，所述第二FinFET包括在所述半导体层中接于半导体层形成的第二鳍片，所述半导体层包括多个半导体子层，

其中所述第一鳍片和所述第二鳍片分别包括不同数目的半导体子层，且具有不同的高度。

2.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述半导体层中相邻半导体子层的材料不同，且相对于彼此具有刻蚀选择性。

3.根据权利要求2所述的SRAM单元，其中，所述半导体层包括鳍片主体材料子层以及刻蚀停止子层的交替堆叠，其中所述鳍片主体材料子层的厚度大于所述刻蚀停止子层的厚度。

4.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述衬底包括体半导体衬底。

5.根据权利要求3所述的SRAM单元，其中，所述衬底包括体Si，所述鳍片主体材料子层包括Si，所述刻蚀停止子层包括SiGe。

6.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，第一鳍片和第二鳍片中至少一个鳍片在底部包括阻挡区。

7.根据权利要求6所述的SRAM单元，其中，对于p型FinFET，所述阻挡区包括n型掺杂剂；对于n型FinFET，所述阻挡区包括p型掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，第一FinFET和第二FinFET分别包括跨于各自的鳍片上的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质层、功函数调节层和栅电极层，

其中，所述功函数调节层和栅电极层覆盖相应鳍片的整个高度，且所述栅电极层通过隔离层与所述半导体层相隔开。

9.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中，所述隔离层通过所述半导体层靠近表面的部分氧化而得到。

10.一种制作静态随机存取存储器(SRAM)单元的方法，所述SRAM单元包括第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，该方法包括：

在衬底上设置半导体层，所述半导体层包括多个半导体子层；

对所述半导体层进行构图，以接于该半导体层形成第一鳍片和第二鳍片，其中第一鳍片和第二鳍片由不同数目的半导体子层构图而成，且具有不同的高度；以及

基于所述第一鳍片和第二鳍片，分别形成所述第一FinFET和第二FinFET。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体层中相邻半导体子层的材料不同，且相对于彼此具有刻蚀选择性。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述半导体层包括鳍片主体材料子层以及刻蚀停止子层的交替堆叠，其中所述鳍片主体材料子层的厚度大于所述刻蚀停止子层的厚度。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述衬底包括体半导体衬底。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述衬底包括体Si，所述鳍片主体材料子层包括Si，所述刻蚀停止子层包括SiGe。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，对所述半导体层进行构图包括：

对第一数目的半导体子层进行构图，以形成第一鳍片以及第二鳍片的一部分；以及

对第二数目的半导体子层进行构图，以形成第二鳍片的其余部分。

16.根据权利要求10所述的方法，还包括：在所述第一鳍片和第二鳍片中至少一个鳍片的底部形成掺杂的阻挡区。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成阻挡区的步骤包括：

在所述至少一个鳍片的两侧，向所述半导体层中注入掺杂剂；以及

进行退火，激活注入的掺杂剂，使得掺杂剂扩散到所述至少一个鳍片的底部。