[发明专利]利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110281464.0 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021822A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨能辉;林俊荣 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 韩蕾 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 氧化铝 锌靶材 制备 多层 薄膜 方法 | ||
1.一种利用氧化铝锌靶材制备多层薄膜的方法，其包含：
将氧化铝锌靶材于氩气及硫化氢气体的反应腔体中溅镀于一基材上，以生成ZnO1-xSx薄膜；再将氧化铝锌靶材于氩气及氧气中溅镀于该ZnO1-xSx薄膜上，以生成高阻值氧化铝锌薄膜；再将氧化铝锌靶材于氩气下直接溅镀于该高阻值氧化锌薄膜后，以生成氧化铝锌薄膜。
2.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述基材包括一基板，以及依序迭置于该基板上的背电极及铜铟镓硒薄膜，所述的ZnO1-xSx薄膜、高阻值氧化铝锌薄膜以及氧化铝锌薄膜依序生成于铜铟镓硒薄膜之上。
3.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述溅镀方法包含直流溅镀或射频溅镀。
4.如权利要求1-3任一项所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述溅镀以生成各薄膜层是于同一反应腔体中制备。
5.如权利要求1-3任一项所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述ZnO1-xSx薄膜的能隙为2.8至3.7电子伏。
6.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述ZnO1-xSx薄膜的氩气与硫化氢气体的流量比为5∶1至2∶1。
7.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述高阻值氧化铝锌薄膜的氩气与氧气的流量比为20∶1至3∶1。
8.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述ZnO1-xSx薄膜的厚度为25至100纳米。
9.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述高阻值氧化铝锌薄膜的厚度为50至150纳米。
10.如权利要求1所述的利用氧化铝锌制备多层薄膜的方法，其中，所述氧化铝锌薄膜的厚度为100至300纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
