[发明专利]BGA半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种BGA半导体封装，其特征在于，该BGA半导体封装具有：

半导体元件；

基板，其搭载所述半导体元件；

粘接剂，其将所述半导体元件粘接在所述基板上；

导电性的微球，其一部分嵌入到设置于所述基板上的通孔中；

接合线，其电连接所述半导体元件和所述微球；以及

密封体，其通过密封树脂，仅在所述基板的所述半导体元件搭载面侧，密封所述半导体元件、所述粘接剂、所述微球中没有嵌入到所述通孔中的部分以及所述接合线，

所述微球的底面的至少一部分具有露出部，该露出部穿过设置在成为所述密封体的底面的所述基板上的通孔，作为外部连接用端子露出。

2.根据权利要求1所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述基板由树脂、玻璃环氧树脂、陶瓷或者玻璃中的任意一种绝缘体构成。

3.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，设置在所述基板上的通孔的形状为圆形。

4.根据权利要求3所述的BGA半导体封装，其特征在于，设置在所述基板上的通孔的直径比所述微球的直径小。

5.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述基板的厚度比所述微球的直径小。

6.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，插入有所述微球的设置在所述基板上的通孔配置在所述半导体元件的两侧、或者配置在围绕所述半导体元件的4条边上。

7.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，设置在所述基板上的通孔的端面被进行倒角加工或锥面加工。

8.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述微球的材质由从焊锡、金、银、铜、铝或钯中选择出的单一金属材料构成，或者由使用从焊锡、金、银、铜、铝以及钯中选择出的多种金属的多层金属材料构成。

9.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述微球的中心部由具有弹力的树脂材料构成，所述微球是利用从焊锡、金、银、铜、铝或钯中选择出的单一金属材料覆盖所述具有弹力的树脂材料的外周部而成的复合微球，或者是利用使用从焊锡、金、银、铜、铝以及钯中选择出的多种金属的多层金属材料覆盖所述具有弹力的树脂材料的外周部而成的复合微球。

10.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述微球的上表面高度比固定在所述基板上的所述半导体元件的上表面高。

11.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述微球的上表面高度比固定在所述基板的所述半导体元件的上表面低。

12.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述接合线由金线、铜线、铝线中的任意一种金属线构成。

13.根据权利要求1或2所述的BGA半导体封装，其特征在于，所述微球的直径为5μm到500μm。

14.一种BGA半导体封装的制造方法，其特征在于，该BGA半导体封装的制造方法具有如下步骤：

在基板上形成多个通孔；

在形成有所述多个通孔的所述基板上搭载微球；

在除了所述通孔以外的设置于所述微球搭载侧的区域中的所述基板上，接合半导体元件；

通过接合线电连接所述半导体元件和所述微球；

通过密封树脂，一体地分别密封所述半导体元件、所述基板、所述接合线以及所述微球的一部分，形成密封体；以及

将所述密封体单片化成各个BGA半导体封装。

15.根据权利要求14所述的BGA半导体封装的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成多个通孔的步骤，是通过钻孔加工、激光加工、图案蚀刻加工、或者使用模具的冲压加工中的任意一个加工来进行的。

16.根据权利要求14所述的BGA半导体封装的制造方法，其特征在于，在将微球搭载在形成有所述多个通孔的所述基板上的步骤中，所述微球是通过装配法、吸引法或者基板振动法中的任意一个方法来搭载的。