[发明专利]对涡电流敏感的NFC卡有效
申请号: | 201110280904.0 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN102412871A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | B·查拉特;N·科尔迪耶 | 申请(专利权)人: | 英赛瑟库尔公司 |
主分类号: | H04B5/00 | 分类号: | H04B5/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 法国普罗旺*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 敏感 nfc | ||
1.一种近距离无线通信NFC卡(1,2),包括:
天线电路ACT,包括具有一个磁轴MX的至少一个天线线圈(30);以及
连接到天线电路的至少一个集成电路(20、21、22);
其特征在于:
天线线圈的磁轴MX与卡的平面基本上平行;以及
天线线圈的磁轴MX相对于卡1的纵向轴成45°±25°的角度。
2.根据权利要求1所述的NFC卡,其中:
所述卡进一步包括在天线线圈附近扩展的至少一个导电屏蔽(71,73,73’,73a,73b),其不跨越磁轴,以及
所述卡不包括在所述至少一个导电屏蔽和天线线圈之间的任何磁渗透材料。
3.根据权利要求2所述的NFC卡,其中天线电路具有在存在所述至少一个导电屏蔽的情况下设置的调谐频率,以及当将金属元件放置在导电屏蔽附近时不去调谐。
4.根据权利要求2或3的一项所述的NFC卡,其中导电屏蔽(71,73,73’,73a,73b)在卡的上面或下面之上或附近扩展。
5.根据权利要求2到4中的一项所述的NFC卡,包括在天线线圈的一侧扩展且不跨越其磁轴的第一导电屏蔽(71),以及在天线线圈的另一侧上扩展且不跨越其磁轴的第二导电屏蔽(73,73’,73a,73b)。
6.根据权利要求1到5中的一项所述的NFC卡,其中天线线圈围着磁渗透核心(31,31’)进行缠绕。
7.根据权利要求6所述的NFC卡,其中天线线圈围着磁渗透核心(31’)以相对于导磁核心的纵向轴成45°±10°角度进行缠绕。
8.根据权利要求1到7中的一项所述的NFC卡,其中集成电路(20)被配置为实现有源负载调制方法,其包括当要发送数据时通过天线线圈来发射磁场(FLD2)的脉冲,以补偿卡所提供的最大通信距离上屏蔽(71,73,73’,73a,73b)的负面效应,直到考虑通过负载调制来发送数据为止。
9.根据权利要求1到8中的一项所述的NFC卡,其中导电屏蔽(73’)包括至少一个槽(74),以降低在存在外部磁场(FLD1)的情况下在导电屏蔽中循环的涡电流(EC3)的效应。
10.根据权利要求1到8中的一项所述的NFC卡,其中将导电屏蔽分成至少两个子屏蔽(73a,73b),以降低在存在外部磁场(FLD1)的情况下在导电屏蔽中循环的涡电流(EC3a,EC3b)的效应。
11.一种用于调谐近距离无线通信NFC卡的天线线圈的方法,包括以下步骤:
提供根据权利要求1至10中的一项所述的卡(1,2);
在存在所述至少一个导电屏蔽(71,73,73’,73a,73b)的情况下设置天线电路ACT的调谐频率。
12.一种用于在近距离无线通信NFC卡(1,2)和NFC外部设备ED之间执行非接触通信的方法,包括以下步骤:
提供根据权利要求1至10中的一项所述的NFC卡(1,2);
在存在所述至少一个导电屏蔽的情况下设置所述卡的天线电路的调谐频率;
通过外部设备ED来发射第一振荡磁场;
将卡放置在印刷电路板PCB1的边缘附近;以及
利用NFC卡的天线线圈来感测印刷电路板PCB1中涡电流所生成的逆磁场FEC1,以增加卡和外部设备ED之间的最大通信距离。
13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括使用导电屏蔽(71)来保护天线电路的调谐频率防止印刷电路板的去调谐效应,增加卡和外部设备ED之间的最大通信距离。
14.根据权利要求12和13中的一个所述的方法,进一步包括当外部设备ED发射第一振荡磁场FLD1时,利用NFC卡的天线线圈来发射第二振荡磁场FLD2的脉冲,以将数据(DTx)从卡传送到外部设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英赛瑟库尔公司,未经英赛瑟库尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110280904.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:公路铰接横向体外预应力加固空心桥板
- 下一篇:矿用砼墩柱模具组件