[发明专利]多波长一体化红外半导体激光光源

权利要求书

1.一种多波长一体化红外半导体激光光源，其特征是，包括有：

编码控制模块（1），与集成化驱动电源（2）相接，用于向所述集成化驱动电源（2）发出对应四路LD/LED发射光源的不同编码信号，为上述多波长一体化红外半导体激光光源提供所需的激光光场信息；

集成化驱动电源（2），分别与所述编码控制模块（1）和一体化激光发射单元（3）相接，用于根据接收的编码信号，向一体化激光发射单元（3）发出四路LD/LED发射光源中某一路LD/LED发射光源工作所需的驱动电流信号； 

一体化激光发射单元（3），分别与所述集成化驱动电源（2）和旋转定位式发射物镜组（4）相接，用于根据接收的驱动电流信号，驱动四路LD/LED发射光源中的一路LD/LED发射光源发出激光束；在所述一体化激光发射单元（3）中包含具有0.86μm、0.9μm、1.06μm和1.55μm四种红外波长的四路LD/LED发射光源；

旋转定位式发射物镜组（4），分别与所述一体化激光发射单元（3）和步进电机驱动系统（5）相接，用于将所述一体化激光发射单元（3）中各路LD/LED发射光源所发射的激光束准直为平行光束；

步进电机驱动系统（5），与所述旋转定位式发射物镜组（4）相接，用于控制所述旋转定位式发射物镜组（4）旋转定位到所述一体化激光发射单元（3）中工作的一路LD/LED发射光源上。

2.根据权利要求1所述的多波长一体化红外半导体激光光源，其特征是，所述编码控制模块（1）包括固化有包含四路LD/LED发射光源编码信息的FPGA集成芯片（11）和与所述FPGA集成芯片（11）相接并输出编码信号的接口电路（12）。

3.根据权利要求2所述的多波长一体化红外半导体激光光源，其特征是，所述一体化激光发射单元（3）是在GaN正方体衬底（31）的四个侧面上利用MOCVD工艺生长出作为四路LD/LED发射光源的半导体外延层（32）；所述GaN正方体衬底（31）与所述半导体外延层（32）内嵌于激光发射单元封装结构（33）的中心位置，所述半导体外延层（32）的发光面位于光学焦平面的位置上。

4.根据权利要求3所述的多波长一体化红外半导体激光光源，其特征是，在所述集成化驱动电源（2）上设有对应于四路LD/LED发射光源的四个控制信号端和四个激光光源供电端；所述控制信号端分别与所述编码控制模块（1）相连接，所述四个激光光源供电端分别连接在所述GaN正方体衬底（31）上的四个半导体外延层（32）上。

5.根据权利要求4所述的多波长一体化红外半导体激光光源，其特征是，所述旋转定位式发射物镜组（4）包括底座（41）、设置在所述底座（41）正面偏心位置上的发射物镜（42）和连接在所述底座（41）背面四角上的滑轮组（43）；所述滑轮组（43）通过传动机构与所述步进电机驱动系统（5）相接。