[发明专利]多层膜形成方法及用于该方法的膜沉积装置

权利要求书

1.一种通过气相化学反应在衬底的至少一个表面上用组分不同的原料气体形成三个或更多个层的多层膜形成方法，所述方法包括：

准备膜沉积装置的步骤，所述膜沉积装置沿着所述衬底的传送路径至少具有第一和第二膜沉积部，且在所述传送路径的任一端处具有所述衬底的供给/回收部；

第一传送及膜沉积步骤，其中，在沿着所述传送路径以第一速度持续地传送所述衬底的同时，向所述第一和第二膜沉积部的每一个同时供给组分彼此相似的第一和第二原料气体，以及形成包括第一和第二层的多个叠层，所述第一和第二层的组分彼此相似；以及

第二传送及膜沉积步骤，其中，在所述第一传送及膜沉积步骤之前或之后沿着所述传送路径以第二速度持续地传送所述衬底的同时，向所述第一和第二膜沉积部供给其组分与所述第一和第二原料气体的组分不同的第三原料气体，以及形成组分与所述第一和第二层的组分不同的第三层，其中所述第一和第二原料气体的组分彼此基本相同。

2.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述第三层的厚度大于包括所述第一和第二层的所述多个层的合计厚度。

3.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述第三层的厚度是包括所述第一和第二层的所述多个层的合计厚度的两倍或更厚，且形成所述第三层的所述第二传送及膜沉积步骤分多次来进行。

4.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述第一和第二原料气体包括添加成分，所述添加成分彼此成分相同但量不同，而所述第三原料气体不包括所述添加成分。

5.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述第一和第二原料气体的主气体的浓度彼此不同，且只有距所述第三层较远的原料气体包括添加成分，而所述第三原料气体不包括所述添加成分。

6.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述多层膜是具有p-i-n结结构的薄膜光伏转换元件，所述第一和第二层是p型半导体层和p/i界面层或n型半导体层和n/i界面层，而所述第三层是i型半导体层。

7.如权利要求4所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述多层膜是具有p-i-n结结构的薄膜光伏转换元件，所述第一和第二层是p型半导体层和p/i界面层或n型半导体层和n/i界面层，所述添加成分是对应于各类型的掺杂气体，而所述第三层是i型半导体层。

8.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，包括：

在所述传送路径的任一端处的所述供给/回收部之间往返地传送所述衬底的同时，进行包括所述第一和第二传送及膜沉积步骤的多个传送及膜沉积步骤。

9.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

准备所述膜沉积装置的步骤包括，准备一膜沉积装置，所述膜沉积装置具有经由可让所述衬底通过的狭缝相互连通的第一和第二膜沉积腔作为所述第一和第二膜沉积部，且所述第一和第二膜沉积腔的内部各自平行地排列有至少一对膜沉积电极。

10.如权利要求9所述的多层膜形成方法，其特征在于，

准备所述膜沉积装置的步骤包括，准备一膜沉积装置，在所述膜沉积装置的所述第一和第二膜沉积腔的至少一个膜沉积腔内部平行地排列有至少两对膜沉积电极。

11.如权利要求1所述的多层膜形成方法，其特征在于，

准备所述膜沉积装置的步骤包括，准备一膜沉积装置，所述膜沉积装置具有在公共真空腔内部排列的至少两对膜沉积电极作为所述第一和第二沉积部。

12.如权利要求8所述的多层膜形成方法，其特征在于，

所述衬底是带状衬底，准备所述膜沉积装置的步骤包括，准备一膜沉积装置，所述膜沉积装置具有所述衬底的退绕/卷绕部作为所述供给/回收部，且每一个所述转送及膜沉积步骤包括，从一个退绕/卷绕部中的辊退绕所述衬底，以及将通过各个所述膜沉积部沉积了膜的衬底卷绕至在另一退绕/卷绕部中的辊。