[发明专利]一种薄膜、图案层及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种薄膜、图案层及其制造方法。

背景技术

在液晶显示面板或其他半导体制造工艺中，均需要基板上形成各种图案层，例如扫描线或数据线等线路。图案层的结构特征对后续工艺的影响极大。在通过镀膜以及蚀刻制作图案层的过程中，通常需要控制图案层的侧面曲率。现有技术中，通常都是使用固定的镀膜参数进行镀膜，导致镀出的薄膜的膜质沿厚度方向保持相同，进而其侧向蚀刻速率沿厚度方向也保持相同。因此，在对镀出的薄膜进行蚀刻以形成图案层的过程中，对于侧面曲率的控制往往通过改变蚀刻溶液、蚀刻设备及蚀刻工艺来实现。

以下利用图1～图2中所示的图案层剖面示意图来说明现有技术。

请参考图1，由于采用固定的镀膜参数进行镀膜，镀出的薄膜的膜质和侧向蚀刻速率沿厚度方向都保持相同，因此蚀刻后制成的图案层10的侧面11的曲率相对较小。请参考图2，由于侧面11的曲率相对较小，会导致在下一道制程中形成的薄膜13对图案层10的覆盖效果较差，且会出现在图案层10的侧向存在空隙12的情况，进而影响镀膜效果，降低了产品的良率。

因此，需要提供一种薄膜、图案层及其制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种薄膜、图案层及其制造方法，以通过膜质变化来控制薄膜的侧向蚀刻速率。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供了一种图案层的制造方法，包括：在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化，以在基板上形成膜质随镀膜厚度变化的薄膜；对薄膜进行蚀刻，使得薄膜的侧向蚀刻速率随膜质变化，进而形成具有预定曲率的侧面的图案层。

其中，薄膜的晶粒尺寸随镀膜厚度在远离基板的方向上逐渐变小。

其中，镀膜参数包括基板的温度、基板周围的气体压力、溅镀功率或基板与靶材间的偏压。

其中，在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制基板的温度随时间逐渐降低。

其中，在在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制溅镀功率随时间逐渐降低。

其中，在在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制基板与靶材间的偏压随时间逐渐降低。

其中，在在基板上进行镀膜，同时控制镀膜参数随时间变化的步骤中，控制基板周围的气体压力随时间逐渐升高。

其中，预定曲率的范围为30度～40度。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供了一种薄膜，该薄膜形成于一基板上，且薄膜的晶粒尺寸随镀膜厚度在远离基板的方向上逐渐变小。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供了一种图案层，该图案层形成于一基板上，且图案层的晶粒尺寸随镀膜厚度在远离基板的方向上逐渐变小。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的薄膜、图案层及其制造方法通过膜质变化来控制薄膜的侧向蚀刻速率。进一步，改善了图案层的侧面曲率小的问题，减少了产品的镀膜异常，提升了后续工艺的良率。

附图说明

图1-2是一种现有技术的图案层的剖面示意图；

图3是本发明薄膜一优选实施例的结构示意图；

图4-5是由图3所示的薄膜蚀刻而成的图案层的剖面示意图；

图6是图4-5所示的图案层的制造方法的流程图。

具体实施方式

请参见图3，图3是本发明薄膜一优选实施例的结构示意图。如图3所示，本发明的薄膜20形成于一基板21上，薄膜20优选是由同一材料形成。薄膜20的膜质随镀膜厚度变化。具体来说，薄膜20具有不同尺寸的晶粒22，这些晶粒22的尺寸随镀膜厚度d在远离基板21的方向上逐渐变小。其中，越靠近基板21的晶粒22的尺寸越大，越远离基板21的晶粒22的尺寸越小。由于晶粒22的尺寸会影响薄膜20的侧向蚀刻速率，晶粒22的尺寸越小则其侧向蚀刻速率越大，晶粒22的尺寸越大则其侧向蚀刻速率越小，由此该薄膜20的侧向蚀刻速率随镀膜厚度d变化。

图4是由图3所示的薄膜蚀刻而成的图案层的剖面示意图。如图3-4所示，由于薄膜20的侧向蚀刻速率受晶粒22的尺寸影响，越靠近基板21的晶粒22的尺寸越大且其侧向蚀刻速率越小，越远离基板21的晶粒22的尺寸越小且其侧向蚀刻速率越大。因此，由该薄膜20经蚀刻后制成的图案层23的侧面24的曲率相对较大。其中，侧面24的曲率范围优选为30度～40度。