[发明专利]高稳定低噪声介质振荡器无效
申请号: | 201110279915.7 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN102386847A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 朱田中 | 申请(专利权)人: | 张家港保税区灿勤科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡 |
地址: | 215633 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定 噪声 介质 振荡器 | ||
技术领域
本发明涉及一种应用于雷达、电子对抗、卫星通讯的介质振荡器,属于有源微波器件领域。
背景技术
随着现代电信系统和现代雷达系统的出现及发展,我们需要在特定的载波频率点建立稳定的高质量的谐波振荡以便为调制和混频创造必要的条件。在雷达技术和微波通信技术中,对频率源的频率稳定度和捷变性能有很高的要求,微波频率源是微波系统中十分重要的部件,因此它的稳定度直接影响到整个系统的性能。微波振荡器是微波频率源的核心部件,而介质振荡器以其工作电压低、效率高、、频率稳定度高、体积小、重量轻等优点得到了广泛的应用,在雷达、导航、电子对抗、微波通信、空间技术等军事领域上,在民用微波中继通信、卫星通信直播卫星电视等民用领域上,作为微波固态频率源核心部件的振荡器的研究和开发都占据着重要的位置。
当前,对于介质振荡器的研发又很多的器件和电路形式。器件方面,随着新材料、新工艺的发展,涌现了多种多样的微波固态器件,如:硅微波双极晶体管、砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、雪崩二极管、体效应二极管等等。谐振电路方面,除了传统的波导腔、同轴腔、微带谐振器外,发展了YIG谐振器、介质谐振器乃至极高Q值的超导材料微波谐振器。其中,介质谐振器凭借其独特的优势(体积小、Q值高、结构简单、成本低)越来越受到研究者的重视。当前,国内的通信卫星有效载荷中,对高频率(KU波段以上)、低相位噪声的锁相频率有着极为迫切的需要。对于广泛采用的数字通信方式、频率源的相位噪声指标对通信质量的影响尤为关键。介质振荡器(Dielectric Rsonator Oscillator)特有的低相噪指标,一直被广泛研究,并且研究越来越深入。
发明内容
本发明目的是提供一种高稳定低噪声介质振荡器,此介质振荡器高输出功率、高频率稳定度、低相位噪声的介质振荡器。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种高稳定低噪声介质振荡器,包括:
介质谐振器和与此介质谐振器下表面接触的作为支架体的第一实心圆柱,此介质谐振器为第二实心圆柱,此第二实心圆柱的介电常数为36,尺寸为φ5.9*2.4mm,所述第一实心圆柱的介电常数为9.5,尺寸为φ3.0*1.5;
所述第二实心圆柱由碳酸钙、氧化铝、氧化钕、二氧化钛组成,其各组分质量百分含量具体为:
碳酸钙 25~45%;
氧化铝 5~15%;
氧化钕 20~50%;
二氧化钛 18~45%;
宽度均为1.2mm的第一微带线和第二微带线,此第一微带线长度为12.5mm,第二微带线长度为11mm,第一微带线和第二微带线之间夹角为锐角;所述介质谐振器位于第一微带线和第二微带线之间夹角内,所述第一微带线与介质谐振器之间的距离为0.3~0.5mm,所述第二微带线与介质谐振器之间的距离为0.4~0.8mm;
三极管,此三极管的漏极连接到所述第二微带线,三极管的栅极连接到所述第一微带线一端,此第一微带线另一端连接有接地电容,三极管的源极接地;
由第一电感和第一电容组成的第一支路,此第一支路的电容端接地,电感端连接到所述第一微带线;
由第二电感和第二电容组成的第二支路,此第二支路的电容端接地,电感端连接到所述第二微带线;
由电阻和第三电容组成的第三支路,此第三支路的电容端作为输出端,电阻端连接到所述第二微带线。
上述技术方案中的有关内容解释如下:
1、上述方案中,所述三级管型号为ATF-13736。
2、上述方案中,所述第一微带线与介质谐振器之间的距离为0.4mm。
3、上述方案中,所述第二微带线与介质谐振器之间的距离为0.6mm。
4、上述方案中,第一电容和第二电容的电容值均为10uf。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
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