[发明专利]利用两根半导体纳米线耦合的单纵模激光器及制备方法

权利要求书

1.一种利用两根半导体纳米线耦合的单纵模激光器，其特征在于，它由长纳米线和短纳米线组成，短纳米线在靠近长纳米线第二端点（2）处与长纳米线部分紧贴，形成X形结构的单纵模激光器；短纳米线第一端点（3）和长纳米线第二端点（2）之间以及短纳米线第一端点（3）和短纳米线第二端点（4）之间均形成FP（Fabry-Perot，法布里-珀罗）腔，且两个FP腔腔长匹配。

2.一种权利要求1所述单纵模激光器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）首先通过化学气相沉积方法制备出直径50-1000 nm的高品质的半导体纳米线；

（2）在显微镜下利用两根光纤探针将生长基片上的直径为50-1000nm的纳米线切断一分为二：一根较长的长纳米线和一根较短的短纳米线，并将两根纳米线放置在低折射率衬底上；

（3）用光纤探针进行微纳操作，将短纳米线推向较长纳米线的一端，即长纳米线第二端点（2），使长纳米线和短纳米线部分紧贴，形成X形结构的单纵模激光器；短纳米线第一端点（3）和长纳米线第二端点（2）之间以及短纳米线第一端点（3）和短纳米线第二端点（4）之间均形成FP（Fabry-Perot，法布里-珀罗）腔，且两个FP腔腔长匹配，刚好可以实现单模激光的选择。