[发明专利]半导体器件及形成用于在Fo-WLCSP中安装半导体小片的引线上键合互连的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上形成包括多个迹线的导电层；

提供具有多个触点焊盘和形成在所述触点焊盘上的第一凸块的半导体小片；

将所述半导体小片以将所述第一凸块直接键合到所述迹线的端部的方式安装到所述导电层；

在所述半导体小片和导电层上沉积密封剂；

去除所述载体；以及

在所述密封剂和半导体小片上形成互连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层包括可湿性材料，以减少封装期间所述半导体小片的移动。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述载体和导电层上形成掩膜层；以及

在所述迹线的端部上形成所述掩膜层中的开口。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成所述互连结构包括：

在所述密封剂和半导体小片上形成绝缘层；以及

在所述导电层上形成多个第二凸块。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在将所述半导体小片安装到所述迹线之前，在所述半导体小片的触点焊盘上形成多个导电柱；以及

在所述导电柱上形成所述第一凸块。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在安装所述半导体小片之前在所述导电层上形成绝缘层。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上形成包括多个迹线的导电层；

提供具有多个触点焊盘和形成在所述触点焊盘上的第一凸块的半导体小片；

将所述半导体小片以所述第一凸块直接键合到所述迹线的方式安装到所述导电层；

在所述半导体小片和导电层上沉积密封剂，其中所述导电层包括可湿性材料，以减少封装期间所述半导体小片的移动；

去除所述载体；以及

在所述密封剂和半导体小片上形成互连结构。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括将所述半导体小片以所述第一凸块直接键合到所述迹线的端部的方式安装到所述导电层。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括利用成型底部填充工艺在所述半导体小片下沉积所述密封剂。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述互连结构包括：

在所述密封剂和半导体小片上形成绝缘层；以及

在所述第二导电层上形成多个第二凸块。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在将所述半导体小片安装到所述迹线之前在所述半导体小片的触点焊盘上形成多个导电柱；以及

在所述导电柱上形成所述第一凸块。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括在安装所述半导体小片之前在所述导电层上形成绝缘层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述绝缘层包括无流动底部填充材料。

14.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成包括多个迹线的导电层；

提供具有多个触点焊盘和形成在所述触点焊盘上的第一凸块的半导体小片；

将所述半导体小片以所述第一凸块直接键合到所述迹线的方式安装至所述导电层；以及

在所述半导体小片和导电层上沉积密封剂。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括将所述半导体小片以所述第一凸块直接键合于所述迹线的端部的方式安装至所述导电层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一凸块比所述迹线宽。

17.根据权利要求14所述的方法，还包括在所述密封剂和半导体小片上形成互连结构。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述互连结构包括：

形成绝缘层；以及

在所述导电层上形成多个第二凸块。