[发明专利]NOR快闪存储器及其形成方法和接触孔的形成方法

权利要求书

1.一种NOR快闪存储器，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有漏极；

位于半导体衬底上的栅极，所述栅极位于所述漏极的相邻区域；

覆盖所述漏极与所述栅极的介质层；

形成在所述介质层内并连接所述漏极的接触孔；

其特征在于，所述接触孔与所述漏极相接触的接触面的宽度为40nm到150nm，所述接触面与栅极的最近端距离为30nm到100nm。

2.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述接触孔的纵向径深与其底部宽度之比为3∶1到7∶1。

3.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，另包括位于介质层与漏极之间的保护层，所述接触孔穿过所述保护层并嵌入漏极，嵌入漏极的深度小于

4.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述接触孔的纵向径深为到

5.一种NOR快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：

在NOR快闪晶体管的漏极或源极上形成第一介质层和第二介质层；

进行选择性刻蚀，以在漏极或源极上方的所述第一介质层和第二介质层内形成第一缺口；

在所述第一缺口的内壁生长形成阻挡牺牲层，以缩小所述第一缺口的宽度而形成上孔部；

利用第二介质层和第一缺口内壁的阻挡牺牲层作掩模，刻蚀第一缺口，以形成呈渐缩形状的下孔部，所述下孔部的底部与所述漏极或源极相连接，所述下孔部的所述底部的宽度为40nm到150nm。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述第一缺口的内壁生长形成阻挡牺牲层，包括：

以淀积的工艺在所述第二介质层及第一缺口形成阻挡牺牲层材料；

进行全局刻蚀去除所述第二介质层上方的阻挡牺牲层材料，所述第一缺口内侧余留的阻挡牺牲层材料作为阻挡牺牲层。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层形成的方法为化学气相淀积，所述第一介质层为氧化硅，厚度为到所述第二介质层为多晶硅。

8.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，在形成第一介质层和第二介质层之前，在所述快闪晶体管漏极或源极上形成一层保护层，其材料为氮化硅。

9.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一缺口形状为平底U形，其底面所在的高度高于栅极的高度。

10.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述上孔部与下孔部组成漏极或源极上方的接触孔，所述接触孔的深宽比大于3∶1。

11.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡牺牲层材料为氧化硅，其形成方法为利用正硅酸乙酯进行沉积。

12.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述全局刻蚀中所用的刻蚀剂对所述阻挡牺牲层材料的刻蚀率要小于形成下孔部的刻蚀中所用的刻蚀剂对阻挡牺牲层以及第二介质层材料的刻蚀率。

13.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成第一缺口的步骤，包括：

在所述第二介质层上形成光刻胶图案；

利用所述光刻胶图案作掩模，刻蚀所述第二、一介质层而形成第一缺口；

去除所述光刻胶图案。

14.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，另包括在所述上孔部与下孔部内填充材料的步骤，所述填充材料为钨。

15.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，利用等离子体刻蚀工艺形成所述第一缺口或下孔部，采用C₄F₈、C₅F₈、C₄F₆、CF₄、CHF₃、CH₂F₂中的至少两种作为主刻蚀气体，刻蚀速率为Ar和O2作为辅助刻蚀气体，气体流量为主蚀刻气体流量的5～15倍；反应腔的压强为20～120mTorr。

16.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述下孔部的形状为平底的V形。

17.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述接触孔穿过所述保护层并嵌入漏极，嵌入漏极的深度小于