[发明专利]半导体发光元件搭载用基板以及使用其的半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件搭载用基板，其特征在于，具备：

基材，其包含金属部分；以及

铝反射层，其厚度为0.02μm～5μm，且设在所述基材的搭载有半导体发光元件的面侧。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，所述基材和所述铝反射层之间设有含有钛的金属层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，

在所述基材和所述铝反射层之间设有由Ag以外的金属构成的第1金属层，

所述第1金属层由选自钯、金、锡、镍、铜-锡合金、铜-镍合金、铁-镍合金中的一种构成，

所述铝反射层设在所述第1金属层的至少一部分。

4.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，在所述基材和所述铝反射层之间从所述基材侧起依次设有镍层和钯层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，在所述钯层和所述铝反射层之间设有金薄镀层。

6.一种半导体发光元件搭载用基板，其特征在于，具备：

基材，其包含金属部分；

银层或银合金层，其厚度为0.01μm～5μm，且设在所述基材的搭载有半导体发光元件的面侧；

铝反射层，其厚度为0.006μm～2μm，且设在所述银层或银合金层上。

7.根据权利要求6所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，

在所述基材和所述银层或银合金层之间设有由Ag以外的金属构成的第1金属层，

所述第1金属层由选自钯、金、锡、镍、铜-锡合金、铜-镍合金、铁-镍合金中的一种构成，

所述铝反射层介由所述银层或银合金层而设在所述第1金属层的至少一部分。

8.根据权利要求6或7所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，在所述银层或银合金层与所述铝反射层之间设有金薄镀层。

9.根据权利要求6所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，在所述银层或银合金层与所述铝反射层之间设有含钛的金属层，

所述铝反射层具有0.02μm～2μm的厚度。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，在最表面设有镀金层。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，所述铝反射层的杂质碳浓度为1×10¹⁴个/cm³～1×10²⁰个/cm³。

12.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体发光元件搭载用基板，其中，所述铝反射层的反射率为90％～98％。

13.一种半导体发光装置，其特征在于，具备：

权利要求1～12中任一项所述的半导体发光元件搭载用基板；

半导体发光元件，其搭载于所述半导体发光元件搭载用基板上；

外围器部分，其包围所述半导体发光元件搭载用基板的一部分，在所述半导体发光元件的周围具有由倾斜面或垂直面形成的凹部，所述倾斜面随着从所述半导体发光元件搭载用基板离开而从所述半导体发光元件离开；

透光性树脂部，其填充在所述外围器部分的所述凹部而密封所述半导体发光元件。

14.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中，所述半导体发光元件搭载于所述基材上形成的所述铝反射层上，并与未形成所述铝反射层且与所述铝反射层电绝缘的供电用端子引线接合或内部引线接合。

15.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中，所述铝反射层的杂质碳浓度为1×10¹⁴个/cm³～1×10²⁰个/cm³。

16.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其中，作为所述供电用端子而引线接合或内部引线接合的所述基材的表面的主要的构成材料是选自金、银、钯、金合金、银合金或钯合金中的一种、或其组合。