[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

第一半导体层；

形成在所述第一半导体层的上表面的第一多量子阱层；

形成在所述第一多量子阱层的部分上表面上的第二多量子阱层；

第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面上，其中，所述第二多量子阱层包括有在层高方向上与所述第二半导体层相接触的侧面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述第一半导体层为用于提供第一类型载流子的半导体层；

所述第二半导体层为用于提供第二类型载流子的半导体层。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二多量子阱层由多个相互分离的多量子阱结构组成。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述多个相互分离的多量子阱结构呈一条状排列或呈一柱状排列。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一多量子阱层的层厚为2～10nm。

6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二多量子阱层的层厚为10～50nm，所述多量子阱结构的宽度为100～700nm，相邻的多量子阱结构之间的间距为10～50nm。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

衬底，所述第一半导体层沉积在所述衬底之上；

与所述第一半导体层连接的第一电极；以及

与所述第二半导体层连接的第二电极。

8.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

沉积形成第一半导体层；

在所述第一半导体层的上表面上沉积形成第一多量子阱层；

形成第二多量子阱层及沉积第二半导体层，其中，所述第二多量子阱层形成在所述第一多量子阱层的部分上表面，而所述第二半导体层沉积在所述第二多量子阱层的上表面以及所述第一多量子阱层未被所述第二多量子阱层覆盖的上表面，且所述第二多量子阱包括有在层高方向上与所述第二半导体层相接触的侧面。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述形成第二多量子阱层及沉积第二半导体层包括：

在所述第一多量子阱层的部分上表面上，沉积所述第二半导体层的半导体材料；

在所述第一多量子阱层的未被所述半导体材料覆盖的上表面上沉积形成所述第二多量子阱层；

在所述第二多量子阱层和已沉积的所述半导体材料上继续沉积所述半导体材料，以形成所述第二半导体层。

10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述形成第二多量子阱层及沉积第二半导体层包括：

在所述第一多量子阱层上沉积所述第二半导体层的半导体材料；

对已沉积的所述半导体材料进行刻蚀，以去除所述第一多量子阱层的部分上表面上覆盖的所述半导体材料，使所述第一多量子阱层的部分上表面裸露；

在所述第一多量子阱层裸露的部分上表面上沉积形成所述第二多量子阱层；

在所述第二多量子阱层和已沉积的所述半导体材料上继续沉积所述半导体材料，形成所述第二半导体层。