[发明专利]各向异性导电薄膜生产设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电薄膜生产设备，特别是涉及一种各向异性导电薄膜生产设备。

背景技术

各向异性导电薄膜由于它仅在厚度方向上呈导电性，不用焊接或机械装配等手段即可实现紧密的电气连接，因而广泛用于计算机、摄像机等精密电器的电路装置，获得日益广泛的重视。用于生产各向异性导电薄膜的设备也受到广泛的重视。随着各向异性导电薄膜生产工艺的不断改进，对各向异性导电薄膜的生产设备也不断提出新的要求。总的说来可以概括为以下几点：1、导电薄膜要获得厚度方向上的导电性，必须在磁场下为薄膜内的导电物质取向，磁场越强，越有利于导电性能的形成与改善。一般取向磁场要大于1.6T。2、为了保证相邻导电线路间的绝缘性，要求在使磁场作用于导电材料层的工序中，停止磁场对导电材料层的作用后，再次使用反向等强磁场作用于导电材料层，反复的次数越多，磁场变换的速度越快效果越好，特别是在导电线路距离较窄时尤其重要。一般要求反复取向5次以上。如图5所示，理想的磁场变换曲线应尽量接近矩形波。磁场从0上升至最大值的时间T₁及磁场从最大值下降到0的时间T₂要尽量的小，一般应不大于5秒。3、包含导电物质的液性高分子材料，在磁场取向完成后，要经过固化才能完成各向异性导电薄膜的制造，固化过程要维持恒定磁场并保持一定的固化温度。

各向异性导电薄膜制造设备要满足上述3个工艺条件，才能生产出可供实际应用的各向异性导电薄膜。但在实际制造时，如何满足上述3个工艺条件，特别是如何保证取向磁场变换曲线尽量接近矩形波（接近到什么程度）并没有成熟技术可以借鉴，因此给各向异性导电薄膜的生产设备的制造带来技术上的障碍。目前，各向异性导电薄膜主要依赖进口，国内未见生产各向异性导电薄膜的设备，也未见相关文献的报道。  

发明内容

本发明是为了解决目前没有各向异性导电薄膜生产设备的问题，提供一种各向异性导电薄膜生产设备。

本发明采用了如下技术方案来实现：一种各向异性导电薄膜生产设备，包括作为磁轭的机架，固定于机架上的上、下磁极，上、下磁极至少有一个是相对机架可上下活动的，上、下磁极上缠绕有励磁线圈，上、下磁极之间压固有各向异性导电薄膜的成型模具；该生产设备还包括励磁线圈的供电装置，所述的供电装置包括可控硅构成的整流电路，用于控制可控硅导通角的计算机控制器，其中计算机控制器的信号输入端连接有置于两磁极间的磁场强度传感器和连接于励磁线圈供电回路中的电流传（互）感器；计算机控制器在相应软件支持下，按照设定的电流函数I=I（t）对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制；所述电流函数I=I（t）的具体表达式为：

其中: I₀=励磁饱和电流；

I_m=为大于励磁饱和电流值的设定电流值；

B（t）=为磁场强度传感器采集的并传输给计算机控制器的实时磁场强度；

B₀=饱和磁场强度；

T₁为磁场上升时间段，即磁场从0上升至最大值的时间段；

T₂为磁场维持时间段，即磁场最大值的保持时间段；

T₃为磁场下降时间段，即磁场从最大值下降至零的时间段；

其中设定电流I_m是采用如下方法确定的：任意给定一个设定电流值（I_m>I₀），计算机控制器在相应软件支持下，按照设定的电流函数I=I（t）对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制，在示波器上观察此时励磁线圈所建磁场的波形，当磁场波形中磁场上升时间段T₁小于等于3秒时，此时对应的设定电流值就是选定值；该设备还包括各向异性导电薄膜的固化装置。

所属领域的技术人员可容易地设计出多种结构来实现上、下磁极至少有一个相对机架上下活动。

成型模具用于制造具有多个导电路径形成部和绝缘部的各向异性导电薄膜，绝缘部将这些导电路径形成部件彼此绝缘。相对于各向异性导电薄膜的结构，成型模具的上下模的相对表面上有凸起部分和凹下部分，凸起部分导磁以形成导电薄膜上的导电路径。该成型模具的基本结构和工作过程为本技术领域人员所公知。