[发明专利]一种InGaN太阳能电池外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种InGaN太阳能电池外延片，其特征在于所述外延片的结构从下至上依次为衬底、缓冲层、n型层、吸收层Ⅰ、吸收层Ⅱ和p型层，所述吸收层Ⅱ位于吸收层Ⅰ和p型层之间。

2.根据权利要求1所述具有双吸收层的InGaN太阳能电池外延片，其特征在于，所述吸收层Ⅰ为量子阱层结构。

3.根据权利要求1所述InGaN太阳能电池外延片，其特征在于，所述吸收层Ⅱ为非故意掺杂的i型InGaN层。

4.根据权利要求3所述的InGaN太阳能电池外延片，特征在于，所述InGaN吸收层Ⅱ的In组分为0.01~0.5。

5.根据权利要求4所述InGaN太阳能电池外延片，其特征在于，所述InGaN吸收层Ⅱ的In组分是恒定的，或者是在所述范围内渐变的。

6.根据权利要求3所述的InGaN太阳能电池外延片，特征在于所述InGaN吸收层Ⅱ的厚度为3nm~100nm。

7.根据权利要求1所述的InGaN太阳能电池外延片，其特征在于，所述吸收层Ⅱ和p型层之间还包括GaN 覆盖层。

8.根据权利要求7所述的InGaN太阳能电池外延片，其特征在于，所述GaN 覆盖层厚度为1nm~10nm。

9.根据权利要求1所述的InGaN太阳能电池外延片，其特征在于p型层为p型GaN:Mg层，或p型AlGaN:Mg层和GaN:Mg层。

10.一种权利要求1所述的InGaN太阳能电池外延片的制备方法，采用MOCVD设备制备所述外延片，其特征在于包括以下步骤：

（1）在1000℃在氢气氛围下烘烤衬底10分钟；

（2）降温至480℃，在衬底上生长厚度为30nm的GaN低温度缓冲层；

（3）在1000℃的温度下，在衬底上生长n型层；

（4）将温度降至650℃～780℃，生长量子阱吸收层Ⅰ；

（5）温度650℃～780℃，生长未掺杂的InGaN吸收层Ⅱ；

（6）将温度升至800℃～1000℃，生长p型层即制备得到所述外延片。