[发明专利]离子真空镀膜方法与装置

权利要求书

1.一种离子真空镀膜方法，其特征是靶材的两端均施加独立工作的弧源电源，每个弧源电源分别进行电压高低或弧源电流大小的控制，即弧源电源电压高低或弧源电流大小的的变化分别施加于靶材的两端。

2.根据权利要求1所述的离子真空镀膜方法，其特征是每只弧源电源均以相同周期的方式进行电流大小的强弱变化控制，且靶材一端弧源电源电压最高或电流最大时，靶材另一端施加的弧源电源电压低。

3.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是根据靶材两端施加的弧源电源电压的高低或弧源电源电流大小的控制，离子引弧能够均匀或任意方式移动，控制靶材每处引弧的离子量；采取可控硅电压调节器的电源调节设备，以微处理器控制的方式对可控硅进行调节。

4.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是靶材施加的电压或电流大小自动进行均匀速度的控制，电弧均匀移动，可以通过最大绝对电压进行控制获得不同的离子束，离子细腻可保证离子镀层的细腻和镀层和结合层的质量，同时结合施加的氮气或烃类气体的量对施加的弧源电源的最高电压和变化的强弱周期。

5.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是在靶材两端均施加独立工作的弧源电源，每个弧源电源分别进行电流大小的控制，即弧源电源电流大小的变化分别施加于靶材的两端，如果工件不均匀分布，控制需要离子束量的区域施加高一些的电压，得到大一些电流，跑弧的离子增加。

6.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是每只电源进行强弱变化进行调节，均以相同周期的方式进行调节，采取可控硅电压调节器的电源调节设备或以微处理器控制的方式对可控硅进行调节。

7.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是每根靶材均采用圆柱形实心靶材。

8.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是对一平板进行均匀镀膜，采用一只柱状靶，平面板卷成筒状，柱状靶位于筒的柱心位置，则每只电源均以相同周期的方式进行强弱变化，且靶材一端弧源电源电压最高时，靶材另一端施加的弧源电源电压则低。

9.根据权利要求1或2所述的离子真空镀膜方法，其特征是平面板卷成筒状为卧式。