[发明专利]一种发光二极管、电子设备及制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，发光二极管的衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其中，在第二导电类型半导体层内邻近多量子阱结构的位置，内嵌有多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核，纳米颗粒组的间隙填充有第二导电类型半导体材料。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第一导电类型半导体层为n型半导体层，第二导电类型半导体层为p型半导体层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，金属纳米颗粒的材料为银、铜或金，电介质的外表层的材料为二氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第二导电类型半导体层上，紧邻第二导电类型半导体层设置有金属纳米颗粒。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，纳米颗粒组的电介质外表层仅包裹一个金属纳米颗粒内核。

6.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，纳米颗粒组的形状为球体、盘状或三角瓣形。

7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，金属纳米颗粒内核大小为5纳米到100纳米，电介质的外表层厚度为1纳米到20纳米。

8.一种电子设备，其特征在于，电子设备的本体上设置有如权利要求1-7任一权利要求所述的发光二极管。

9.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括：

在发光二极管的衬底上依次设置第一导电类型半导体层和多量子阱结构；

在多量子阱结构上沉积多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核；

在多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组上沉积第二导电类型半导体层，第二导电类型半导体材料被填充在纳米颗粒组的间隙中。

10.根据权利要求9所述的发光二极管制造方法，其特征在于，在第二导电类型半导体层上沉积金属纳米颗粒。

11.根据权利要求10所述的发光二极管制造方法，其特征在于，

在发光二极管的衬底上依次设置第一导电类型半导体层和多量子阱结构具体为：

在发光二极管的衬底上依次设置n型半导体层和多量子阱结构；

在多量子阱结构上沉积多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组具体为：

在多量子阱结构上沉积金属纳米颗粒的材料为银、铜或金，电介质的外表层的材料为二氧化硅或氮化硅的纳米颗粒组；

在复合金属纳米颗粒层上沉积第二导电类型半导体层具体为：

在复合金属纳米颗粒层上沉积p型半导体层；

在第二导电类型半导体层上沉积金属纳米颗粒具体为：

在p型半导体层上沉积银纳米颗粒、铜纳米颗粒或金纳米颗粒。

12.根据权利要求9所述的发光二极管制造方法，其特征在于，纳米颗粒组的电介质外表层仅包裹一个金属纳米颗粒内核。

13.根据权利要求12所述的发光二极管制造方法，其特征在于，纳米颗粒组的形状为球体、盘状或三角瓣形。

14.根据权利要求12所述的发光二极管制造方法，其特征在于，金属纳米颗粒内核大小为5纳米到100纳米，电介质的外表层厚度为1纳米到20纳米。

15.根据权利要求10所述的发光二极管制造方法，其特征在于，纳米颗粒组通过旋转涂布、丝网印刷或自组装工艺形成。