[发明专利]一种金属衬垫制作方法无效

专利信息
申请号: 201110274055.8 申请日: 2011-09-15
公开(公告)号: CN103000569A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 郑大燮;魏琰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 牛峥;王丽琴
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 衬垫 制作方法
【权利要求书】:

1.一种金属衬垫制作方法,应用于顶层金属互连层,提供具有金属互连层的晶片,所述金属互连层上依次沉积第一层间介质和第二层间介质,在所述第一层间介质中形成通孔之前或之后,该方法还包括:

所述第二层间介质涂覆第一光刻胶后曝光和显影形成用于定义金属衬垫的第一光刻图案,所述第一光刻图案在金属衬垫的边沿处保留至少一个圆柱形第一光刻胶部分;

以所述第一光刻图案为掩膜刻蚀所述第二层间介质形成沟槽,所述沟槽在临近边沿处具有圆柱形第二层间介质部分;

在所述沟槽中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层后,填充生长金属铜;

化学机械研磨所述金属铜、扩散阻挡层和铜籽晶直到露出所述第二介质层表面。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属衬垫的边沿处具有倒角。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述半径小于所述最小距离。

4.所述根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述圆柱形第二层间介质部分的圆心到所述金属衬垫边沿的最小距离范围是1到10微米;所述圆柱形第二层间介质部分的半径范围是1到10微米。

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