[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

衬底；

置于衬底上的半导体层结构，所述半导体层结构包括置于衬底上的第一层、第二层以及置于第一层和第二层之间用于光发射的有源区；和

层结构中的一个或多个空腔，所述空腔或每个空腔与总体延伸穿过层结构的至少第一类型的相应穿透位错相对应，且所述空腔或每个空腔从层结构的上表面延伸穿过至少第二层和有源区。

2.根据权利要求1所述的器件，其中在层结构中不存在穿透位错的部位处，不形成空腔。

3.根据权利要求1所述的器件，其中在层结构中存在第二类型的穿透位错的部位处，不形成空腔。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述空腔或每个空腔延伸至第一层中。

5.根据权利要求1所述的器件，包括设置在所述空腔或每个空腔中的非导电材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中所述器件包括发光二极管。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的器件，其中所述器件包括激光二极管。

8.一种制造半导体发光器件的方法，所述半导体发光器件具有置于衬底上的半导体层结构，所述层结构包括置于衬底之上的第一层、第二层以及置于第一层和第二层之间用于光发射的有源区，所述方法包括：

在层结构中至少第一类型的相应穿透位错所在的一个或更多个部位，从层结构选择性地去除材料，以在层结构中形成空腔，所述空腔至少延伸穿过第二层和有源区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在层结构中不存在穿透位错的部位处，不形成空腔。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在层结构中存在第二类型的穿透位错的部位处，不形成空腔。

11.根据权利要求8所述的方法，包括在衬底上形成层结构。

12.根据权利要求8所述的方法，其中从层结构去除材料包括蚀刻层结构。

13.根据权利要求12所述的方法，包括第一蚀刻步骤：在相应穿透位错所在的所述一个或更多个部位处，选择性地蚀刻层结构，以在所述部位或每个部位处形成引导空腔。

14.根据权利要求13所述的方法，包括第二蚀刻步骤：增加所述引导空腔或每个引导空腔的深度，使得所述空腔或每个空腔至少延伸穿过第二层和有源区。

15.根据权利要求14所述的方法，其中第二蚀刻步骤包括：通过置于层结构的表面上的掩模，蚀刻层结构。

16.根据权利要求15所述的方法，包括：在层结构的表面上设置掩模层，并在第一蚀刻步骤中形成引导空腔的所述部位或每个部位处选择性地去除掩模层，以形成掩模。

17.根据权利要求15所述的方法，包括：

在层结构的表面上沉积抗蚀剂层；

对抗蚀剂层进行平坦化，使得仅仅沉积在所述引导空腔或每个引导空腔中的抗蚀剂材料保留；

在层结构的表面上沉积掩模层；

执行剥离步骤，以去除沉积在所述引导空腔或每个引导空腔中的抗蚀剂材料，从而形成掩模。

18.根据权利要求15所述的方法，包括在层结构的表面上选择性地设置掩模层，所述掩模层没有设置在第一蚀刻步骤中形成引导空腔的所述部位或每个部位处。

19.根据权利要求15所述的方法，其中掩模是电极层。

20.根据权利要求14所述的方法，其中第二蚀刻步骤是干法蚀刻步骤。

21.根据权利要求8所述的方法，包括在所述空腔或每个空腔中设置非导电材料。

22.一种由根据权利要求8至21中任一项所述的方法形成的半导体发光器件。