[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

半导体叠层，其包括第一电性半导体层；活性层，位于该第一电性半导体层之上；以及第二电性半导体层，位于该活性层之上；其中该半导体叠层具有第一区域，在该第一区域上，该第二电性半导体层及该活性层被移除而形成平台结构；

反射层，位于该半导体叠层之上；

第一应力缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于该反射层之上；

第一电极；以及

电性绝缘层，位于该第一应力缓冲层与该第一电极之间，使该第一应力缓冲层与该第一电极完全分隔；

该第一电极包括接触区及延伸区，该第一电极的该延伸区和该电性绝缘层位于该第一应力缓冲层的同一侧，该第一电极的该延伸区沿着该平台结构的侧壁向该第一区域延伸，该第一电极的该接触区与该第一电性半导体层相接触，且该电性绝缘层沿着该平台结构的该侧壁向该第一区域延伸并与该第一电性半导体层相接触。

2.如权利要求1所述的发光元件，还包括第二应力缓冲层，包括由金属元素及非金属元素所组成的化合物，位于该电性绝缘层及该第一电极之间。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一应力缓冲层包括金属氧化物或金属氮化物。

4.如权利要求2所述的发光元件，其中该第二应力缓冲层包括金属氧化物或金属氮化物。

5.如权利要求3或4所述的发光元件，其中该金属氧化物包括In₂O₃、SnO₂、ZnO、TiO₂、或CdO，和/或该金属氮化物包括TiN、AlN、TaN、CrN、ZrN、VN或NbN。

6.如权利要求3或4所述的发光元件，其中该金属氧化物为掺杂的金属氧化物，和/或该金属氮化物包括金属氮化物的混合物。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中该掺杂的金属氧化物包括In₂O₃:Sn、In₂O₃:Mo、ZnO:In、ZnO:Ga、ZnO:Al、SnO₂:F或TiO₂:Ta。

8.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一应力缓冲层和/或该第二应力缓冲层包括金属氧化物与金属氧化物所形成的混合物、金属氧化物与掺杂的金属氧化物所形成的混合物、或掺杂的金属氧化物与掺杂的金属氧化物所形成的混合物。

9.如权利要求1或2所述的发光元件，其中该第一应力缓冲层和/或该第二应力缓冲层包括In₂O₃-ZnO、In₂O₃-ZnO：Ga、In₂O₃-TiO₂、CdO-In₂O₃、CdO-SnO₂或ZnO-SnO₂。

10.如权利要求6所述的发光元件，其中该金属氮化物的混合物包括TiN-AlN或TiN-CN。

11.如权利要求1所述的发光元件，还包括第二电极，位于该第一应力缓冲层上，其中该第一电极的面积大于该第二电极的面积。

12.如权利要求1所述的发光元件，还包括第二电极，位于该第一应力缓冲层上；以及载板，其中该发光元件的该第一电极及该第二电极倒装接合于该载板上。

13.如权利要求1所述的发光元件，其中该反射层的材料包括金属。

14.如权利要求1所述的发光元件，其中该反射层的材料包括铝、金、铂、锌、银、镍、锗、铟、锡或上述金属的合金。