[发明专利]一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法

权利要求书

1.一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，包括步骤：

1)将金属氧化物纳米材料放入去离子水中，加入非离子型表面活性剂，超声震荡9-11分钟，得到金属氧化物溶胶；

2)选择表面光滑的平面导电材料，并先后用有机溶剂和纯水超声清洗，备用；

3)取一定体积的金属氧化物溶胶，滴加在2)步中处理的导体材料表面，使之均匀涂覆，并自然晾干；

4)将金属氧化物覆盖的导体材料放入马弗炉中，在低温下煅烧≥2小时，得到纳米金属氧化物半导体薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤1)的金属氧化物纳米材料，其中的金属氧化物，是二氧化钛、二氧化锡、氧化锌或氧化亚铜其中之一。

3.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤1)的金属氧化物纳米材料，其中的纳米材料，是纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米管或纳米薄片其中之一，或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤1)的非离子型表面活性剂，其中的表面活性剂，是曲拉通X-100、吐温-20或聚乙二醇其中之一，或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤1)的非离子型表面活性剂，其中的表面活性剂浓度，在0.1％-1％之间。

6.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤1)中金属氧化物溶胶的浓度在1％-10％之间。

7.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤3)中一定体积的溶胶，其滴涂比为5-20uL/cm²；使之均匀涂覆，是利用刀片刮膜或甩胶机均匀涂覆。

8.根据权利要求1所述的制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，所述步骤4)的低温煅烧，其煅烧温度在80-200℃之间。