[发明专利]薄金属层光刻对准标记的制作方法有效
| 申请号： | 201110272670.5 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN103000616A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 童宇锋;李伟峰;陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 光刻 对准 标记 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.薄金属层光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在垫积薄金属层前，包括以下步骤：
1)在衬底介质层上，与要制作的光刻对准标记相对应的位置处，涂布光刻胶作为阻挡层，曝光，刻蚀；
2)用与薄金属层的材质不同的金属或合金填充步骤1)刻蚀掉的区域；
3)化学机械研磨填充区域表面，使其低于所述介质层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄金属层的材质为铝、铜或铝铜合金。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，用钨进行填充。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄金属层与所述介质层的厚度比率小于或等于1∶3。
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