[发明专利]带侧壁保护的腔体制造方法

权利要求书

1.一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括步骤：

提供硅基底，在所述硅基底上形成第一保护层；

刻蚀所述第一保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；

以所述第一保护层为掩模，刻蚀所述硅基底，在所述硅基底中形成多个浅槽；

在所述第一保护层表面和所述浅槽侧壁及底部淀积第二保护层；

刻蚀所述第一保护层表面和所述浅槽底部的所述第二保护层，残留在所述浅槽侧壁上的所述第二保护层形成侧壁保护层；

以所述第一保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀多个所述浅槽，在所述硅基底中形成多个深槽；

采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽，在所述硅基底内部形成腔体；

采用氧化法将所述浅槽侧壁上的所述侧壁保护层全部氧化，将所述腔体完全封闭；

将所述硅基底上的所述第一保护层去除。

2.根据权利要求1所述的腔体制造方法，其特征在于，所述硅基底为(111)晶向的。

3.根据权利要求1所述的腔体制造方法，其特征在于，多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布是可调的。

4.根据权利要求3所述的腔体制造方法，其特征在于，多个所述浅槽的形状、尺寸、排布和/或深度与多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布具有关联性。

5.根据权利要求1所述的腔体制造方法，其特征在于，所述第二保护层为重掺杂的多晶硅。

6.根据权利要求1所述的腔体制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用各向异性的腐蚀工艺，在所述硅基底内部形成所述腔体。

7.根据权利要求6所述的腔体制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为KOH或者TMAH。

8.根据权利要求1所述的腔体制造方法，其特征在于，所述腔体的形状和/或深度是任意的。

9.根据权利要求1所述的腔体制造方法，其特征在于，去除所述第一保护层的方法为刻蚀法或者化学机械抛光法。

10.一种带侧壁保护的腔体制造方法，包括步骤：

提供硅基底，在所述硅基底上形成第一保护层；

刻蚀所述第一保护层，形成多个窗口，直至露出下方的硅基底；

以所述第一保护层为掩模，刻蚀所述硅基底，在所述硅基底中形成多个浅槽；

在所述第一保护层表面和所述浅槽侧壁及底部淀积第二保护层；

刻蚀所述第一保护层表面和所述浅槽底部的所述第二保护层，残留在所述浅槽侧壁上的所述第二保护层形成侧壁保护层；

以所述第一保护层和所述侧壁保护层为掩模，继续刻蚀多个所述浅槽，在所述硅基底中形成多个深槽；

采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽，在所述硅基底内部形成腔体；

将所述浅槽侧壁上的所述侧壁保护层去除；

在多个所述浅槽的侧壁之间填满填充材料，将所述腔体完全封闭，所述填充材料还覆盖到所述第一保护层上；

采用化学机械抛光法将所述第一保护层上的所述填充材料去除。

11.根据权利要求10所述的腔体制造方法，其特征在于，所述硅基底为(111)晶向的。

12.根据权利要求10所述的腔体制造方法，其特征在于，多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布是可调的。

13.根据权利要求12所述的腔体制造方法，其特征在于，多个所述浅槽的形状、尺寸、排布和/或深度与多个所述窗口的形状、尺寸和/或排布具有关联性。

14.根据权利要求10所述的腔体制造方法，其特征在于，所述第二保护层为硅的氧化物。

15.根据权利要求10所述的腔体制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用各向异性的腐蚀工艺，在所述硅基底内部形成所述腔体。

16.根据权利要求15所述的腔体制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的溶液为KOH或者TMAH。

17.根据权利要求10所述的腔体制造方法，其特征在于，所述腔体的形状和/或深度是任意的。

18.根据权利要求10所述的腔体制造方法，其特征在于，去除所述侧壁保护层的方法为湿法刻蚀法。