[发明专利]用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构

说明书

 

技术领域

本发明涉及用于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电容结构，具体涉及一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构。

背景技术

近年来，由于大电流高电压的IGBT已模块化，使得驱动电路性能更好，整机的可靠性更高及体积更小，因而新能源中变频器已广泛使用IGBT模块。

由于IGBT开关过程中较高的电压导致IGBT关断时将会使其电流电压的运行轨迹超出它的安全工作区而损坏，为了使IGBT关断过电压能得到有效地抑制并减少关断损耗，通常都需要给IGBT主电路设置吸收保护电容器，吸收电容器要求耐高压、耐大电流冲击。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构。

本发明采用的技术方案是：一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层、介质层和外层，所述底层为中留边双面金属化薄膜，所述介质层为光膜，所述外层为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。

本发明采用两种不同结构的金属化薄膜制成电容器，本发明采用波浪分切技术提高电容器过流能力，本发明采用中留边金属膜提高电容的耐压性能，采用双面金属化膜提高耐电流2倍的能力。

本发明工艺简单，选用现行薄膜电容工艺和双面金属化波浪分切工艺。

本发明的有益效果：(1)采用常用原料；(2)与现行的薄膜电容工艺部分兼容；(3) 电容器具有良好过电流及自愈能力；(4)结构简单、稳定性好；(5)所有原料均无毒，更具有环境协调性。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；

图2为本发明中留边双面金属化薄膜的结构示意图；

图3为本发明双留边金属化薄膜的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明：

如图1、2、3所示：一种用于绝缘栅双极型晶体管吸收电容薄膜电容器的结构，包括底层1、介质层2和外层3，所述底层1为中留边双面金属化薄膜，所述介质层2为光膜，所述外层3为双留边金属化薄膜，所述中留边双面金属化薄膜的留边处的光膜宽为3mm，所述双留边金属化薄膜的留边处的光膜宽为2.5mm。