[发明专利]牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法

权利要求书

1.一种牺牲发光面积在LED芯片上制造ESD保护电路的方法，其特征在于：首先在单个芯片上隔离出ESD保护电路所占的外延片部分，然后使用平面工艺刻蚀掉该隔离出的外延片n GaN层以上部分，最后将芯片上主发光区的P++GaN电极和保护区的n++GaN电极相连接，将芯片上主发光区的n++GaN电极和保护区的P++GaN电极相连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的平面工艺为感应耦合等离子体刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述感应耦合等离子体刻蚀工艺的反应室反应腔压力为0.3-0.5Pa，反应室上电极功率为140W，下电极功率为20W，采用氦气作冷却气体，冷却压强为500-600Pa，氯气流量为30sccm，刻蚀温度为20-30℃，刻蚀速率为1.2nm/s，刻蚀时间为800-1200s。