[发明专利]发光器件、发光器件封装及其图像显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；

第一电极，所述第一电极被置放在所述第一导电型半导体层上；

欧姆层，所述欧姆层被置放在所述第二导电型半导体层上；

硅化物层，所述硅化物层被置放在所述欧姆层上并且与所述第二导电型半导体层接触；和

导电支撑衬底，所述导电支撑衬底被置放在所述硅化物层上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆层被置放成部分地暴露所述第二导电型半导体层，并且所述硅化物层覆盖所述欧姆层且直接接触所述第二导电型半导体层的至少一个暴露区域。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中所述硅化物层对应于所述第一电极地直接接触所述第二导电型半导体层的至少一个区域。

4.根据权利要求1或2所述的发光器件，进一步包括：

电流阻挡层，所述电流阻挡层被置放在所述第二导电型半导体层和所述硅化物层之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，进一步包括：

反射层，所述反射层被置放在所述欧姆层和所述硅化物层之间。

6.根据权利要求1、2、4或5中任一项所述的发光器件，其中所述硅化物层对应于所述第一电极地直接接触所述欧姆层的至少一个区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，进一步包括：

粘合层，所述粘合层被置放在所述硅化物层和所述导电支撑衬底之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光器件，其中根据溅射或者电子束气相沉积形成所述硅化物层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光器件，其中所述欧姆层被构图以部分地暴露所述第二导电型半导体层。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述欧姆层被形成为两个部分。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件，其中在所述发光结构的侧表面和所述硅化物层的至少一个区域上形成钝化层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光器件，其中在所述第一导电型半导体层的表面上形成粗糙结构。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光器件，其中所述硅化物层由多个层构成。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的发光器件，其中所述硅化物层由Si和Ni、Pt、Ti、W、Cu、V、Fe或者Mo中的至少一种构成。

15.一种发光器件封装，包括：

封装主体，在所述封装主体中形成空腔；

第一和第二电极层，所述第一和第二电极层被置放在所述封装主体上且被相互电分离；和

发光器件，所述发光器件被置放在所述空腔上且与所述第一和第二电极层电连接，

其中，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；第一电极，所述第一电极被置放在所述第一导电型半导体层上；欧姆层，所述欧姆层被置放在所述第二导电型半导体层的预定区域上；硅化物层，所述硅化物层被置放在所述欧姆层上并且与所述第二导电型半导体层接触；和导电支撑衬底，所述导电支撑衬底被置放在所述硅化物层上。

16.根据权利要求15所述的发光器件封装，其中所述欧姆层被置放成部分地暴露所述第二导电型半导体层，并且所述硅化物层覆盖所述欧姆层且直接接触所述第二导电型半导体层的至少一个暴露区域。

17.根据权利要求15至16中任一项所述的发光器件封装，其中所述硅化物层对应于所述第一电极直接地接触所述第二导电型半导体层的至少一个区域。

18.根据权利要求15或16所述的发光器件封装，其中进一步包括：

电流阻挡层，所述电流阻挡层被置放在所述第二导电型半导体层和所述硅化物层之间。