[发明专利]缓冲元件及应用此缓冲元件的覆晶软膜接合方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种缓冲元件，尤其涉及一种应用于覆晶软膜接合的缓冲元件及其接合方法。

背景技术

一般而言，将覆晶软膜(Chip on Film)接合于液晶面板的方式多采用热压制程，在热压制程中，覆晶软膜先被迭置于液晶面板，其后再以热压头压抵覆晶软膜，因此，位于覆晶软膜与液晶面板之间的胶材即会将覆晶软膜及液晶面板胶合。此外，在前述压抵过程中，热压头通常经由缓冲材而压抵覆晶软膜。

在上述热压工艺中，液晶面板的走线与覆晶软膜的芯片外引线需完成对应的电性连接，走线与外引线通常为平行的电性接线(如金手指般)，由于外引线所在的覆晶软膜的热膨胀系数大于走线所在的液晶面板的热膨胀系数，因此，在热压前(如常温下)，外引线之间的间距通常小于走线之间的间距，当热压头压抵覆晶软膜时，因覆晶软膜的热膨胀量大于液晶面板(玻璃)的热膨胀量，故在热胶合温度时，外引线与走线即能对应地形成电性连接。

虽然在上述的覆晶软膜的热压工艺能达到对应电性连接的目的，但是在实作时，覆晶软膜的温度并不易控制，当温度未落在预定范围时，覆晶软膜的热膨胀量将不足或过大，致电性连接不良或错误。此外，在实际工艺中，前述缓冲材配置于热压头与覆晶软膜之间，致覆晶软膜的温度将更不易控制，更易形成不良的电性连接。

发明内容

本发明提出缓冲元件及应用此缓冲元件的覆晶软膜接合方法，适于将覆晶软膜接合于基板。

依据一实施例，缓冲元件包含依序迭置的第一膜层、热阻层及第二膜层。热阻层的热传导系数小于0.13W/m-k。第一膜层的热传导系数为0.4W/m-k。第二膜层的热传导系数大于该第一膜层的热传导系数。

依据一实施例，第二膜层包含导热粉，且热传导系数为0.3W/m-k。前述热阻层的厚度介于0.06毫米至0.1毫米之间。第一膜层的厚度为0.05毫米，第二膜层的厚度为0.1毫米。热阻层的热传导系数小于第二膜层的热传导系数。

并且，较佳地，该第二膜层相对于该第二表面的另一面具有离形结构。

较佳地，该热阻层的材质为玻纤布，该第一膜层的材质为硅膜，该第二膜层的材质为硅膜。

依据一实施例，应用缓冲元件的覆晶软膜接合方法包含以热压头抵压缓冲元件于一迭置有一覆晶软膜的基板上，覆晶软膜与基板间具有导电胶材，而热压头的温度为380℃；以及持续抵压该基板一预定时间后，退回该热压头。

其中，该覆晶软膜在该导电胶材固化时与常温时的膨胀比例在0.3％至0.8％之间。

其中，该覆晶软膜在该导电胶材固化时在水平面上的膨胀量在10微米至22微米之间。

其中，该以该热压头抵压该缓冲元件的步骤为该热压头以一预定速度先接触该缓冲元件后再将该缓冲元件抵压于该基板。

其中，该预定速度为一等速度。

其中，该等速度为1～10mm/s。

通过上述缓冲元件的结构，在热压头尚未压下(或是未接触到缓冲元件)，缓冲元件可以将热压头的热量隔离，而不致预热覆晶软膜，当热压头抵压缓冲元件于覆晶软膜时，热量可以迅速地传导至导电胶材，而待热压头退回后，热量亦被缓冲元件隔离于热压头周围，而不致于持续对覆晶软膜加热，因而，能更有效地控制覆晶软膜的接合温度，并提高电性连接的良率。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为根据本揭露一实施例的缓冲元件的结构示意图。

图2A、图2B及图2C为本揭露一实施例的应用缓冲元件的覆晶软膜接合作业示意图。

图3A、图3B、图3C及图3D为覆晶软膜接合结果的结构示意图。

图4为覆晶软膜结果的膨胀量比较图。

图5为本揭露一实施例的应用缓冲元件的覆晶软膜接合方法流程示意图。

其中，附图标记：

10：缓冲元件

12：第一膜层

14：热阻层

140：第一表面

142：第二表面

16：第二膜层

160：另一面，表面

20：基板

21a，21b：走线

22：覆晶软膜

23a，23b：外引线

24：芯片

30：热压头

50a，50b：卡匣

52a，52b：滚筒

具体实施方式