[发明专利]包埋镧铝合金纳米团蔟的金属陶瓷太阳能吸收涂层及方法有效

专利信息
申请号: 201110271140.9 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN102350847A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 徐新建;宋宗恩;孙绍銮 申请(专利权)人: 日出东方太阳能股份有限公司
主分类号: B32B33/00 分类号: B32B33/00;B32B15/04;B32B9/04;F24J2/48;C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 222243*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 包埋 铝合金 纳米 金属陶瓷 太阳能 吸收 涂层 方法
【权利要求书】:

1.一种包埋镧铝合金纳米团蔟的金属陶瓷太阳能吸收涂层,该涂层为多层复合结构,自基底向上依次包括金属反射层薄膜、太阳能吸收层薄膜和减反射层薄膜,其特征在于,所述金属反射薄膜为镧铝合金LaAl反射层薄膜,所述太阳能吸收层薄膜为氮化镧铝LaAlN金属陶瓷内包埋镧铝合金LaAl纳米团簇LaAl-N-LaAl的太阳能吸收薄膜,所述减反射层薄膜为氮化镧铝LaAlN减反射层薄膜。

2.如权利要求1所述的金属陶瓷太阳能吸收涂层,其特征在于,所述的太阳能吸收涂层中镧、铝的原子比为3~4∶6~7。

3.如权利要求5所述的金属陶瓷太阳能吸收涂层,其特征在于,所述吸收层薄膜的厚度范围为150~200nm。

4.如权利要求1所述的金属陶瓷太阳能吸收涂层,其特征在于,金属反射层薄膜的厚度范围为100~180nm。

5.制备如权利要求1所述涂层的方法,其特征在于,采用单室单靶溅射设备,该方法包括以下步骤:

1)制备第一层:直接用镧铝合金靶、磁控溅射制备金属反射层薄膜,具体操作如下:

先将高真空溅射腔室的真空度抽至好于5×10-4Pa,从氩气进气管通入工作气体氩气,气压控制在5Pa~5×10-2Pa;

打开直流或脉冲直流溅射电源,电压控制在250~600V;溅射电流密度控制在5~250mA/cm2;溅射功率控制在2~150w/cm2;溅射速率控制在10-500nm/min;溅射时间为3~20min,获得镧铝合金LaAl反射层薄膜;

2)制备第二层:在第一步中氩气压相同的条件下,氩气压作为背景条件,从氮气进气管通入反应气体氮气,氮气分压控制在2Pa~5×10-3Pa,打开直流或脉冲直流溅射电源,控制电压、电流、功率和溅射速率与第一步相同,溅射时间一般需要10~30min,获得氮化镧铝包埋镧铝合金纳米团簇(LaAl-N-LaAl)吸收层薄膜;

3)制备第三层:在第二步的背景氩气压不变的条件下,通入充足的反应气体氮气,氮气分压控制在5Pa~5×10-2Pa,镧铝合金靶仍采用第一步的磁控直流反应溅射参数操作,溅射时间一般需要7~30min,生成氮化镧铝陶瓷LaAlN减反射层薄膜。

6.制备如权利要求1所述涂层的方法,其特征在于,采用多靶真空溅射设备,该方法包括以下步骤:

1)制备第一层:直接用多只镧铝合金靶同时进行磁控溅射制备金属反射层薄膜,具体操作如下:

将高真空溅射腔室的真空度抽至好于5×10-4Pa,分别从氩气进气管通入工作气体氩气,气压控制在5Pa-5×10-2Pa;打开三只镧铝合金靶的直流或脉冲直流溅射电源,每个靶电压分别控制在250-600V;溅射电流密度控制在5~250mA/cm2;各靶溅射速率控制在10-500nm/min;溅射时间为1~10min,获得稀土镧铝合金反射层薄膜;

2)制备第二层:在第一步中操作参数相同的条件下,氩气压作为背景条件,从氮气进气管通入反应气体氮气,将氮气分压控制在2Pa~5×10-3Pa,同时打开三只镧铝合金靶的直流或脉冲直流溅射电源,控制电压、电流、功率和溅射速率与第一步相同,溅射时间为4~15min,获得氮化镧铝包埋稀土镧铝合金纳米团簇吸收层薄膜;

3)制备第三层:在第二步的操作参数及背景氩气压不变的条件下,通入充足的反应气体氮气,氮气分压控制在5Pa~5×10-2Pa,溅射时间为3~15min;三只镧铝合金靶共同溅射生成氮化镧铝陶瓷薄膜减反射层薄膜。

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