[发明专利]复合氧化物粉末的制造方法有效
| 申请号: | 201110271030.2 | 申请日: | 2011-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN102408240A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 五味健二郎;加藤真一;矢尾知里;橘纪和;中村泰也 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | C04B35/626 | 分类号: | C04B35/626;C04B35/468 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 复合 氧化物 粉末 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及复合氧化物的制造方法,详细而言,涉及能够作为陶瓷电子部件用的陶瓷原料优选使用的复合氧化物的制造方法。
背景技术
作为能够经济地制造以微粒形式结晶性优良的钛酸钡等复合氧化物的复合氧化物粉末的制造方法,提出了以下所说明的方法。
例如,作为具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物粉末的制造方法,提出了如下复合氧化物粉末的制造方法,其中,包括将含有结晶水的构成A位成分的元素的氢氧化物、和具有250m2/g以上的比表面积的氧化钛粉末进行混合的混合处理工序,混合处理工序包括:溶解液生成工序,其中,通过进行加热处理而生成仅由结晶水的水分溶解A位成分的溶解液;和反应工序,其中,氧化钛粉末与溶解液反应而生成反应合成物,并且溶解液生成工序和反应工序连续进行(参照专利文献1)。
另外,在专利文献1中公开了对所得到的复合氧化物进行预煅烧(仮焼)。
这样,根据该专利文献1的发明的方法,得到异相少、所期望的超微粒、并且结晶性优良的复合氧化物,通过对其进行预煅烧处理,从立方晶系复合氧化物中结晶系转移,从而能够制造结晶性优良的正方晶系的复合氧化物。
但是,已知:构成作为层叠陶瓷电容器的电介质层使用的陶瓷烧结体层(例如,BaTiO3系陶瓷层)的陶瓷粒子的粒径变微细时,介电常数降低,该介电常数的降低是由于陶瓷烧结体的结晶性(c轴相对于结晶轴的a轴的比(c/a轴比))的降低而产生的。
为了解决该介电常数的降低的问题,在形成作为电介质层的陶瓷烧结体层以前,烧结前的原料粉末(例如,钛酸钡系材料的预煅烧粉末)的阶段中的粉末需要为粒径微小、且结晶性高的原料粉末。
从该观点出发,专利文献1中,通过在900~1000℃下对所合成的微粒的钛酸钡粉末进行预煅烧,得到c/a轴比为1.0075~1.0088、比表面积为7.31~3.88m2/g的微细钛酸钡粉末。
但是,实际情况是:如果层叠陶瓷电容器的元件厚度(夹在内部电极间的电介质层的厚度)在低于1μm的区域时,则在通过专利文献1的方法得到的钛酸钡粉末中并不充分。
另外,作为其他复合氧化物的制造方法,提出了如下钛酸钡粉末的制造方法,其中,包括反应工序,即,在不存在二氧化碳的气氛下,使氧化钛粒子和水溶性钡化合物,以相对于上述氧化钛粒子的摩尔数为等摩尔来加入上述水溶性钡化合物,pH为11.5以上且13.0以下的水溶液中,在100℃以下的温度下进行反应(专利文献2的权利要求2)。
根据该专利文献2的发明的方法,能够在防止氯杂质混入的同时,廉价地制造粒度分布窄的钛酸钡粉末。
但是,在专利文献2的发明的方法中,虽然由比表面积为40m2/g的氧化钛合成粒径为0.085~0.115μm的钛酸钡粉末,但是,难以认为所得到的钛酸钡的结晶性充分高,另外,由于也没有实施预煅烧,因此推测结晶性低(段落0025)。
另外,在专利文献2的方法的情况下,需要在不存在CO2的气氛中合成,从而具有对制造工序产生制约的问题点。
另外,实际情况是:专利文献1以及2的任一个文献中,没有明确对于TiO2原材料而言所需要的粉体特性的范围,根据专利文献1以及2的任意一种方法,难以得到特性高的层叠陶瓷电容器所要求的、粉末的粒径微小、结晶性高的原料粉末。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第4200427号公报
专利文献2:特许第4057475号公报
发明内容
本发明的目的在于解决上述课题,提供一种钙钛矿型复合氧化物的制造方法,其能够高效、并且经济地制造在电介质层的层叠数多、薄层化的层叠陶瓷电容器的电介质层的构成材料等用途中能够优选使用的微细、表面积大、结晶性高的钙钛矿型复合氧化物。
为了解决上述课题,本发明的钙钛矿型复合氧化物的制造方法,为由通式ABO3表示的钙钛矿型复合氧化物的制造方法,其特征在于,包括:
浆料制备工序,其中,制备在水中分散有通过X射线衍射测定的(101)面的衍射峰的积分宽为2.0°以下的氧化钛粉末的氧化钛浆料;和
反应工序,其中,通过在上述氧化钛浆料中添加碱土元素的氢氧化物使其反应而生成钙钛矿型复合氧化物。
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