[发明专利]联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术

权利要求书

1.本发明为一种可取代现有的双结氢化非晶硅与氢化微晶硅氧化锌介反射层的新颖发明，利用二氧化碳的等离子处理技术引进，形成一低折射率的硅氧键结生成物，可加强利用入射光，而增强了顶电池的电流密度，同时亦可减少顶电池的本徵层厚度，进而减少光衰现象，达成高效率、低成本的硅薄膜太阳能电池生产目标,流程为先在透明导电前电极薄膜上依序利用等离子增强式化学气相沉积设备沉积氢化P型非晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型微晶硅薄膜，接着再依序沉积氢化P型微晶硅薄膜、氢化本征层非晶硅薄膜、氢化N型非晶硅薄膜，最后沉积金属氧化物反射层和金属背导电层薄膜,而本发明中的关键是在顶电池制备后，引入二氧化碳并经由流量的控制，施加偏压与利用射频形成等离子体，如此可对顶电池的氦化微晶硅薄膜进行表面处理并形成硅氧键结，此生成物即为一较低折射率的介反射层，实现光由高折射率进入低折射率的全反射条件，可达到一般氧化锌介反射层的功用，但经由此技术可不必将整个顶电池于真空态取出，亦不需经由其他工艺来形成此介反射层，可实现工艺的一致性，节省设备的支出，亦即所谓的联机生成。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜材料涵盖二氧化锡(SnO2)透明导电膜、氧化锌参杂铝(ZnO:Al)透明导电膜和氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电膜。

3.根据权利要求1所述的氢化顶电池为氢化P型非晶硅薄膜(P a-Si:H)或是氢化P型非晶碳化硅薄膜 (P a-SiC:H)、氢化本征层非晶硅薄膜(I a-Si:H)、氢化N型微晶硅薄膜(N uc-Si:H)。

4.根据权利要求1所述的氢化底电池为氢化P型微晶硅薄膜(P uc-Si:H)、氢化本征层微晶硅薄膜(I uc-Si:H)、氢化N型非晶硅薄膜(N a-Si:H) 。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物背反射层为氧化锌参杂铝(ZnO:Al)透明导电膜、氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电膜和氧化锌参杂镓(ZnO:Ga)透明导电膜，其中该金属导电层薄膜材料为铝(Al)和银(Ag)薄膜,其中若使用银薄膜则会加上钛(Ti)薄膜的搭配使用，避免氧化物生成于银表面。