[发明专利]一种太阳能电池片干法刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201110270013.7 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102290494A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 张宗阳;李增彪;何成辉;陈云爽 | 申请（专利权）人： | 江阴鑫辉太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 江阴市永兴专利事务所(普通合伙) 32240 | 代理人： | 达晓玲;詹世平 |
| 地址： | 214400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 片干法 刻蚀 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能电池片干法刻蚀工艺，包括干法刻蚀步骤，其特征在于，
所述干法刻蚀步骤包括：
第一步刻蚀工艺：抽真空，通入O2和CF4气体，气体流量分别50-100sccm和190-350sccm，对腔体稳压，设定压力220-330mt，功率850w,转速8 -10rpm/min，时间控制为250-350s，用射频电源去掉硅片边缘表面的SiO2；
第二步刻蚀工艺：排除废气，通入O2和CF4气体，气体流量分别40-120sccm和200-450sccm，对腔体稳压，设定压力230-440mt，功率850w,转速8 -10rpm/min，时间控制为1000-1200s，用射频电源去掉硅片边缘的 Si。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池片干法刻蚀工艺，其特征在于，所述第一步刻蚀的工艺条件为，通入O2和CF4气体流量分别60-70sccm和215-250sccm，设定压力260-300mt，功率850w，转速8rpm/min，刻蚀时间300s。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池片干法刻蚀工艺，其特征在于，所述第二步刻蚀的工艺条件为，通入O2和CF4气体流量分别65-80sccm和380-410sccm，设定压力330-380mt，功率850w，转速8rpm/min，刻蚀时间1100s。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴鑫辉太阳能有限公司，未经江阴鑫辉太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110270013.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
