[发明专利]磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法有效
| 申请号： | 201110269372.0 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103000545A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 赵峰;刘明 | 申请（专利权）人： | 康可电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/22 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 214142 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷硼预 扩散 工艺 测试 方法 | ||
1.磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其特征为包括步骤：
Ⅰ、1200℃的湿氧气氛下；在新的测试片上生长一层氧化层；
Ⅱ、使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面一半的氧化层直至露出裸硅，被去除的所述测试片表面一半包括上表面和下表面；
Ⅲ、将一半具有氧化层的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测量原裸硅所在的半边测试片的电阻值；
Ⅳ、继续使用步骤Ⅲ测试电阻值后的测试片，进行另一次预扩散工艺；工艺完成后再次使用氢氟酸溶液剥除测试片的所有氧化层，测量后一次参与反应的半边测试片的电阻值，完成整个测试片复用。
2.根据权利要求1所述的磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其特征在于：步骤Ⅰ中所述生长的氧化层厚度为10000埃。
3.根据权利要求1所述的磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其特征在于：步骤Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ所用的氢氟酸溶液为质量浓度48%的纯氢氟酸。
4.磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其特征为包括步骤：
Ⅰ、1200℃的湿氧气氛下；在新的测试片上生长一层氧化层；
Ⅱ、使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面N分之一的氧化层直至露出裸硅，被去除的所述测试片表面N分之一包括上表面和下表面；
Ⅲ、将具有部分裸硅的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测量原裸硅所在的部分测试片的电阻值；
Ⅳ、再次使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面另一N分之一的氧化层至露出另一部分裸硅，重复步骤Ⅱ至Ⅲ所述复用步骤N-1次，直至完成整个测试片复用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
