[发明专利]用于制造半导体芯片面板的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体芯片面板的方法，所述方法包括：

提供多个半导体芯片；

将所述半导体芯片放置在载体上；

提供包括第一工具和第二工具的压缩模制设备；

将所述载体放置在所述压缩模制设备的第一工具上；

通过压缩模制用模制材料来密封所述半导体芯片，其中在压缩模制期间，延迟从第一工具到载体的上表面的热传递。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在压缩模制期间，在所述第一工具与所述载体之间提供间隙。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述压缩模制设备的第一工具包括多个销，所述多个销从第一工具的上表面延伸并能够插入到第一工具中，其中所述方法进一步包括：

将所述载体放置在所述第一工具上，使得所述载体位于所述销上，因此在载体的下表面与第一工具的上表面之间建立间隙；以及

在压缩模制期间，减少在第一工具与第二工具之间的距离，直到所述销插入到第一工具中并且载体达到搁置成其下表面处于第一工具的上表面。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：在压缩模制期间，按压在第一工具的上表面与载体的下表面之间的空气。

5.根据权利要求1所述的方法，其中以使得在压缩模制期间阻碍从载体的下表面到载体的上表面的热传递的方式来构建载体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述载体包括下金属层、上金属层以及中间层，其中所述中间层包括比下金属层和上金属层的每一个均低的导热率。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在压缩模制期间，所述载体的上表面的温度升高大于30%。

8.一种用于制造半导体芯片面板的方法，所述方法包括：

提供多个半导体芯片；

将所述半导体芯片放置在载体上；

提供包括第一工具和第二工具的压缩模制设备；

将所述载体放置在所述压缩模制设备的第一工具上；

通过压缩模制用模制材料来密封所述半导体芯片，其中在压缩模制期间，载体的上表面的温度升高大于30%。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在压缩模制开始时，所述载体的上表面的温度低于100℃。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在压缩模制期间，增加第一工具的温度。

11.根据权利要求8所述的方法，其中在压缩模制期间，在第一工具与载体之间提供间隙。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述压缩模制设备的第一工具包括多个销，所述多个销从第一工具的上表面延伸并能够插入到所述第一工具中，其中所述方法进一步包括：

将载体放置在第一工具上，使得载体位于所述销上并且在载体的下表面与第一工具的上表面之间建立间隙；以及

在压缩模制期间，减少在第一工具与第二工具之间的距离，直到销插入到第一工具中并且载体达到搁置成其下表面处于第一工具的上表面上。

13.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在压缩模制期间，按压在第一工具的上表面与载体的下表面之间的空气。

14.根据权利要求8所述的方法，其中以使得在压缩模制期间延迟从载体的下表面到载体的上表面的热传递的方式来构建所述载体。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述载体包括下金属层、上金属层和中间层，其中所述中间层包括比下金属层和上金属层的每一个均低的导热率。

16.一种用于制造半导体芯片面板的方法，所述方法包括：

提供多个半导体芯片；

将所述半导体芯片放置在载体上；

提供压缩模制设备，所述压缩模制设备包括第一工具和第二工具；

将所述载体放置在所述压缩模制设备的第一工具上；

通过压缩模制用模制材料来密封所述半导体芯片，其中在压缩模制开始时，载体的上表面的温度低于100℃。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在压缩模制期间增加第一工具的温度。